STMicroelectronics rakentaa integroidun piikarbidi-pohjaisten tehokomponenttien substraattitehtaan Italiaan tukemaan SiC-piirien kasvavaa kysyntää. Tuotannon odotetaan alkavan vuonna 2023. Tehdas on samalla ensimmäinen Euroopassa, jossa valmistetaan 150 millimetrin SiC-epitaksiaalikiekkoja.
SiC-kiekkojen tehdas rakennetaan ST:n Catanian tehtaalle Sisiliaan nykyisen piikarbidipiirien rinnalle. ST kertoo lisäksi sitoutuneensa kehittämään tulevaisuudessa SiC-kiekkojen valmistuksen 200-millisillä kiekoilla.
Italian valtio tukee taloudellisesti viiden vuoden aikana tehtävää 730 miljoonan euron investointia kansallisen elvytys- ja selviytymissuunnitelman puitteissa. Rakentamisen aikana projekti luo noin 700 työpaikkaa.
Piikarbidi on yksi laajan kaistaeron materiaaleista, jotka ovat nopeasti mullistamassa tehoelektroniikan komponenttien suorituskykyä. Piihin verrattuna galliumnitridi- eli GaN-komponenteissa elektronien liikkuvuus on selvästi parempi, mikä tarkoittaa suuria kytkentänopeuksia ja karkeasti ottaen nopeampaa latausta.
Piikarbidi- eli SiC-piireissä lämpöjohtavuus on paljon parempi, joten niissä voidaan ajaa suurempia jännitteitä. Yleisellä tasolla SiC sopii paremmin esimerkiksi sähköautoihin ja teollisuuden sähkökoneisiin, GaN pienempiin laitteisiin kuten älypuhelimiin tai tietokoneiden latureihin.