Galliumnitridi on viimeisen parin vuoden ajan mullistanut teholähteiden kehtyksen erityitsesti pienempien tehojen laitteissa. Nyt markkinoilla on saatu ensimmäinen iso GaN-patenttiriita, kun Infineon haastaa Innosciencen oikeuteen patentinloukkauksesta.
Infineon Technologies Austria AG on haastanut Zhuhaissa päämajaansa pitävän Innoscience Technologyn ja Innoscience American oikeuteen Yhdysvalloissa. Infineon hakee pysyvää käyttökieltoa Infineonin omistaman galliumnitridi-teknologian yhdysvaltalaisen patentin loukkaamisesta.
Patenttivaatimukset kattavat GaN-tehopuolijohteiden keskeiset osa-alueet sisältäen innovaatioita, jotka mahdollistavat Infineonin patentoitujen GaN-piirien luotettavuuden ja suorituskyvyn. Kanne nostettiin Kalifornian pohjoisen piirin käräjäoikeuteen.
Infineon väittää, että Innoscience loukkaa edellä mainittua patenttia valmistamalla, käyttämällä, myymällä, tarjoamalla myytäväksi ja/tai tuomalla Yhdysvaltoihin erilaisia tuotteita, mukaan lukien GaN-transistorit useisiin sovelluksiin autoteollisuudessa, datakeskuksissa, aurinko-, moottori- ja kuluttajalaitteissa.
Infineon ilmoitti viime lokakuussa saavansa päätökseen GaN Systems Inc:n ostamisen. Kaupan myötä Infineonilla on suurin GaN-patenttien salkku, johon kuuluu noin 350 patenttiperhettä.
Analyytikot odottavat tehosovellusten GaN-piirien liikevaihdon kasvavan jatkossa 49 prosentin vuosivauhtia. Vuonna 2028 markkoiden kooksi ennustetaan noin kahta miljardia dollaria.