Tekoälyn käytön lisääntyessä datakeskukset tulevat vaatimaan yhä enemmän virtaa vastatakseen kasvaviin prosessointivaatimuksiin. Onsemi on esitellyt uusia tehopiirejä, joiden avulla näiden halujen aiheuttamia tehohäviöitä voidaan pienentää.
Perinteiseen verkkohakuun verrattuna tekoälyä tukevan hakukoneen haku vaatii yli kymmenkertaisesti enemmän tehoa, minkä takia datakeskusten tehontarpeen odotetaan nousevan maailmanlaajuisesti arviolta 1000 terawattituntiin alle kahdessa vuodessa. Yhden tekoälyn tukeman pyynnön käsittelemiseksi energiaa muunnetaan neljä kertaa verkosta prosessoriin, mikä voi johtaa noin 12 prosentin energiahäviöön.
Käyttämällä onsemin uusia T10 PowerTrench- ja EliteSiC 650V MOSFET-transistoreja datakeskuksissa voidaan vähentää niissä syntyviä tehohäviöitä arviolta yhdellä prosentilla. Tämä ei toki kuulosta paljolta, mutta jos ratkaisu otetaan datakeskuksissa käyttöön maailmanlaajuisesti, se voisi vähentää energiankulutusta 10 terawattitunnilla vuodessa.
EliteSiC 650V tarjoaa erinmaisen kytkentäsuorituskyvyn ja alhaisemmat laitekapasitanssit, joilla saavutetaan korkeampi hyötysuhde datakeskuksissa ja energian varastointijärjestelmissä. Edelliseen sukupolveen verrattuna tämä uuden sukupolven piikarbidi- eli SiC:pohjainen MOSFET voi puolittaa porttivarauksen ja pienentää sekä lähtökapasitanssiin varastoitua energiaa (Eoss) että lähtövarausta (Qoss) 44 prosenttia.
T10 PowerTrench puolestaan on suunniteltu käsittelemään suuria virtoja, jotka ovat ratkaisevia DC-DC-tehomuunnosvaiheissa, ja se tarjoaa suuremman tehotiheyden ja erinomaisen lämpösuorituskyvyn kompaktissa koossa. Tämä saavutetaan suojatun porttikaivannon muotoilulla, jossa on erittäin alhainen porttivaraus ja alle 1 milliohmin resistanssia, kun kytkentä on päällä RDS(on).