Nottinghamin yliopiston fyysikot ovat kehittäneet uudenlaisen muistin, joka lupaa olla jopa 1000 kertaa nykymuisteja nopeampi. Kyse on antiferromagneettisesta muistista, jonka osissa sähkövirtaa on ensimmäistä kertaa pystytty hallitsemaan.
Tähänastiseen spintroniikkaan verrattuna uudella muistilla on ominaisuuksia, joitka voivat osoittautua erittäin hyödylliseksi modernissa elektroniikassa. Muisti ei tuota magneettikenttiä, joten sen elementit voidaan sijoitttaa tiiviimmin. Tämä jo itsessään kasvattaa muistin tallennustiheyttä.
Muisti on myös immuuni magneettikentille tai säteilylle, joten se sopii erityisen hyvin vaativille erikoisalueille, kuten satelliitteihin tai ilma-alusten elektroniikkaan. Englantilaistutkijoiden mukaan muisti on erinomainen kandidaatti ns. universaaliksi muistiksi, joka voisi korvata kaikki aikaisemmat muistitekniikat.
Käyttämällä tiettyä kiderakennetta tutkijat osoittivat, että tietynlaisten antiferromagneettisen magneettisi kohtia voidaan ohjata sähköpulsseilla koko materiaalissa. Tämä rakenne – kuparimagnaaniarseeni – kasvatetaan lähes täydellisessä tyhjiössä atomikerros kerrokselta.
Nottinghamilaistutkijoiden lisäksi hankkeessa oli mukana tsekkiläisiä, saksalaisia ja puolalaisia tutkijoita sekä Hitachin tutkimusväkeä. Tulokset julkistettiin arvostetussa Science-aikakauslehdessä.