MIT:ssä eli Massachusetts Institute of Technologyssä on kehitetty uusi meneteläm, joka saattaa mullistaa mikropiirien valmistuksen. Tutkijat onnistuivat ensimmäistä kertaa istuttamaan piirin samaan kerrokseen kahta rakenteeltaan hyvin erilaista materiaalia.
Mikropiirejä valmistetaan kidemateriaaleista, joiden atomit ovat järjestäytyneet kidehiloiksi. Tähän asti yhteen piirin kerrokseen on voitu istuttaa vain materiaaleja, joiden hilarakenne on lähellä toisiaan.
MIT:n tutkijat onnistuivat valmistamaan testipiirin, jossa samassa kerroksessa oli kahta hyvin erilaista materiaalia: molybdeenidisulfidia ja grafeenia, joka on yhden atomin paksuinen hiilimateriaali.
Tutkijoiden valmistustekniikka toimii millä tahansa materiaaleilla, jotka yhdistävät materiaaleja alkuaineryhmistä 6 (kromi, molybdeeni ja tungsten) ja 16 (esimerkiksi selenium ja telerium). Monet näistä aineista ovat puolijohteita ja niitä voidaan käyttää elektroniikassa erittäin ohuina kalvorakenteina.
Prosessissaan tutkijat istuttivat ensin grafeenikerroksen piialustalle. Sen jälkeen grafeenista etsattiin pois ne alueet, joihin haluttiin istuttaa molebdeenisulfidia. Kaasuprosessissa saatiin molekyylejä kiinnittymään piialustaan, muttei grafeeniin. Näihin kohtiin saatiin toisella kaasulla muodostettua molebdeenidisulfidikerros.
Mitä hyötyä tästä sitten on? Mikäli prosessissa saataisiin valmistettua ns. tunnelointitransistorirakenteita, saataisiin valmistettua piirejä, joissa olisi aiempaa vähemmän ja aiempaa ohuempia puolijohdekerroksia. Elektronien tunnelointi ei aiheuta lämpöä, mikä on nykytransitorien suurin ongelma. Uusi prosessi voisi mahdollistaa piirit, jotka toimivat erittäin pienellä virralla ja kytkisivät bittejä päälle ja pois erittäin nopeasti.