20 vuotta sitten IBM:n tutkija John Slonczewski esitteli Journal od Magnetism and Magnetic Materials -lehdessä uuden muistitekniikan, joka sai nimekseen MRAM eli magneettinen RAM. Uudenlaiseen tallennukseen perustuva muistin uskotaan nyt skaalautuvan 11 nanometriin.
Vuonna 2011 IBM esitteli PMA-tekniikan (perpendicular magnetic anisotropy), jonka avulla bitti voitiin magneettista kenttää manipuloimalla tallentaa selvästi aiempaa tiheämpään rakenteeseen. Nyt IBM:n tutkijat ovat yhdessä Samsungin kanssa esitelleet PMA-prosessin, joka skaalautuu jopa 11 nanometriin asti.
Tästä tiheydestä on monia etuja. Yhteen MRAM-soluun saadaan tallennettua kolme bittiä. Näin tiheässä viivanleveydessä datanluku onnistuu 10 nanosekunnissa vain 7,5 mikroampeerin virralla.
IBM:n elektronimikroskooppikuvassa (ohessa) on kuvattu 11 nanometrin viivanleneydellä toteutettu magneettinen tunneliliitos.
STT-MRAM eli spin torque transfer -muisti nojaa magneettisiin kenttiin, joiden suuntaa muuttamalla (pystyyn tai vaakaan) ykkönen saadaan muutettua nollaksi. Ongelma on tähän asti ollut se, että bitin kirjoitus on vaatinut muihin tekniikoihin verrattuna liikaa energiaa. IBM:n uusin innovaatio näyttää korjanneen tätä ongelmaa merkittävästi.
IBM:n tutkimussivuilta löytyy lisätietoa uudesta muistista. Lisäksi sivulta löytyy video MRAM-muistin 20-vuotisesta historiasta.