Xiaomi on esitellyt uuden XRING O3 -järjestelmäpiirinsä, jonka kerrotaan olevan maailman ensimmäinen LPDDR6-muistia tukeva mobiiliprosessori. 3 nanometrin piiri tulee ensimmäisenä käyttöön syyskuussa julkistettavassa Xiaomi 18 Fold -taittopuhelimessa.
Xiaomi jatkaa nopeasti oman piirikehityksensä laajentamista. TrendForcen kokoamien kiinalaislähteiden mukaan uusi XRING O3 sisältää 24 miljardia transistoria eli 26 prosenttia enemmän kuin edeltäjänsä XRING O1. Piirin pinta-ala on 133 neliömillimetriä.
Merkittävimpiä uudistuksia on LPDDR6-muistin tuki. Muistin tiedonsiirtonopeudeksi ilmoitetaan 10 667 megabittiä sekunnissa ja muistiväylän kaistanleveydeksi 113,8 gigatavua sekunnissa. Kaistanleveys kasvaa XRING O1:een verrattuna 48 prosenttia.
XRING O3:n ensimmäiseksi käyttökohteeksi on tulossa Xiaomi 18 Fold. Kiinalaismedian mukaan taittopuhelin julkistetaan syyskuussa. Piiriä käytetään myös Xiaomi Pad 9 Pro Max -tabletissa.
Xiaomi on uudistanut erityisesti piirin tekoälykiihdytystä. NPU on suunniteltu yhtiön omia MiMo-laitemalleja varten, ja sen tensorilaskennan suorituskyvyksi ilmoitetaan enimmillään 200 TOPS. Vektorilaskennan suorituskyky on 3,13 teraflopsia. Xiaomi arvioi paikallisen tekoälylaskennan nopeutuneen 45 prosenttia edellisestä sukupolvesta.
Tekoälylaskentaa ei ole jätetty pelkästään NPU:n tehtäväksi. Prosessoriytimiin on lisätty kaksi tekoälykiihdytintä ja grafiikkasuorittimeen kahdeksan neuroverkkokiihdytintä. Samalla sisäistä arkkitehtuuria on muutettu tehonkulutuksen ja vasteajan parantamiseksi. Piirin viiveeksi ilmoitetaan 82 nanosekuntia.
XRING O3 jatkaa Xiaomin viime vuonna aloittamaa paluuta omiin järjestelmäpiireihin. Yhtiö esitteli toukokuussa 2025 XRING O1:n, jota käytetään muun muassa Xiaomi 15S Pro -puhelimessa ja Pad 7 -sarjan tableteissa.
Samassa yhteydessä Xiaomi esitteli kaksi muuta piiriä. XRING O100 on suurten tekoälymallien suorittamiseen tarkoitettu kiihdytin, jossa käytetään 6 nanometrin prosessia ja wafer-on-wafer- eli WoW-3D-pinoamista.
Kolmas uutuus on älyautojen laskentaan kehitetty XRING D100. Se valmistetaan niin ikään 3 nanometrin prosessilla ja sisältää 20-ytimisen suorittimen sekä 16-ytimisen NPU:n. Yhtenäistä muistia voidaan liittää enimmillään 160 gigatavua, minkä kerrotaan riittävän jopa 200 miljardin parametrin tekoälymallien suorittamiseen paikallisesti. D100:n kaupallinen käyttöönotto on tarkoitus aloittaa vuonna 2027.
