Samsung ilmoitti viime vuonna ryhtyneensä ensimmäisenä maailmassa valmistamaan DRAM-piirejä EUV-prosessissa. Nyt TechInsights on analysoinut uusia siruja ja ne vievät DRAM-bittitiheyden uudelle tasolle.
Uutuuspiirien viivanleveydeksi ilmoitettiin 1z nanometriä, koska DRAM-valmistajat eivät enää kerro tarkkoja lukemia. Kyse on kuitenkin 10-11 nanometrin prosessista.
Ensimmäinen volyymituote, joka perustuu Samsungin EUV-prosessilla valmistettuun DRAM-muistiin, on Samsungin oma Galaxy S21 Ultra 5G -puhelin. Siinä LPDDR5-tyyppinen keskusmuisti perustui 12 gigabitin piireihin.
EUV-prosessissa 12 gigabitin sirun koko on 43,98 neliömilliä. Edelliseen prosessipolveen verrattuna 12 gigabitin siru on kutistunut selvästi, lähes viidenneksellä.
DRAM-solun koko kutistuu uudessa 1z-prosessissa 0,00197 neliömikroniin. Bittitiheydeksi saadaan näin 0,273 gigabittiä yhdellä neliömillimetrillä. Bitteinä luku kirjataan yli 293 miljoonaksi.
TechInsightsin analyysistä käy ilmi myös, että Micronin perinteisellä 139 nanometrin askelvalottimella piirretyt sirut tuottavat pienemmän bittitiheyden ja suuremmat solukoot. Lisätietoja täältä.
Erittäin hyvällä hyötysuhteella lämpöenergiaa tuottava tai poistava ilmalämpöpumppu yleistyy edelleen kaikkialla maailmassa. Toshiba on kehittänyt suunnittelijoiden avuksi pitkälle integroidun referenssimallin, jonka pohjalta on helppo rakentaa hyvin energiatehokas lämpöpumppu optimoiduin kustannuksin.