GaN on seuraavan sukupolven puolijohdetekniikka, joka on merkittävä parannus perinteisiin korkeajännitteisiin piipohjaisiin tehopuolijohteisiin verrattuna, ja samalla se vähentää suorituskyvyn tuottamiseen tarvittavaa energiaa ja fyysistä tilaa. Se toimii jopa 20 kertaa nopeammin ja voi myös mahdollistaa jopa kolme kertaa suuremman tehonkäsittelyn tai kolme kertaa nopeamman latauskyvyn. Lisäksi GaN leikkaa laturin koosta ja painosta puolet.
GaNSense Controlin alkuperäisessä valikoimassa on korkeataajuiset kvasiresonanssit (HFQR) flyback-muuntimet, jotka tukevat QR-, DCM-, CCM- ja monitaajuisia hybriditoimintoja jopa 225 kHz:n taajuuksilla. Ohjaimet toimitetaan pintaliitettävä QFN-piirinä (NV695x-sarja) tai piirisarjana (NV9510x + NV61xx). Toisiopuolella integroidut synkronisten tasasuuntaajien (SR) tehopiirit (NV97xx) saavuttavat maksimaalisen tehokkuuden kaikissa kuormitusolosuhteissa verrattuna perinteisiin tasasuuntaajiin.
Integroidut ominaisuudet, kuten häviöttömän virran tunnistus, HV-käynnistys, taajuushyppely, alhainen valmiustilateho ja laaja VDD-tulojännite, tarjoavat pieniä, tehokkaita, viileäkäyttöisiä järjestelmiä, joissa on vähemmän komponentteja. Piireille on lisätty joukko integroituja suojaominaisuuksia, kuten 800 V:n transienttijännite, 2 kV ESD, ylijännite-, ylivirta- ja ylilämpötilasuojaus.
Alkuperäiset sovellukset kattavat 20–150 W, mukaan lukien älypuhelimien, tablettien ja kannettavien tietokoneiden laturit, kuluttaja- ja kodinkoneet, myyntipisteet ja lisälaitteet suuritehoisissa datakeskuksen teho- ja 400 V EV-järjestelmissä. Yli miljoona piiriä on jo lähetetty laturienvalmistajille.