Destination 2D:n kehittämä uusi laite, CoolC GT300, mahdollistaa teollisen mittakaavan grafeenin synteesin matalissa lämpötiloissa ilman perinteisiä ongelmia, kuten grafeenin siirto- tai laadunhallintaongelmia. Laitteen myötä grafeeni voidaan integroida suoraan puolijohdetehtaiden CMOS-prosesseihin, mikä avaa ovet laajamittaiseen kaupalliseen hyödyntämiseen.
Nykyään käytetty kupari on ollut puolijohdeteollisuuden standardi yli 30 vuotta, mutta se on alkanut saavuttaa rajojaan. Alle 15 nanometrin prosessiteknologioissa kuparin resistanssi kasvaa nopeasti, mikä heikentää suorituskykyä ja luotettavuutta. Grafeeni, joka tunnetaan erinomaisesta sähkönjohtavuudestaan, vahvuudestaan ja ohuudestaan, tarjoaa ratkaisun näihin ongelmiin.
Destination 2D:n kehittämä patentoitu tekniikka hyödyntää monikerroksista grafeenia, jota on käsitelty interkalaatiodopauksella. Tämä tarkoittaa prosessia, jossa atomeja, ioneja tai molekyylejä lisätään kerrosrakenteisen materiaalin, kuten grafeenin, kerrosten väliin muuttamaan sen sähköisiä tai kemiallisia ominaisuuksia. Tämä tekee grafeenista entistä tehokkaamman ja mahdollistaa sen käyttämisen välijohteissa, joissa saavutetaan jopa 80 % parempi energiatehokkuus ja huomattavasti pienempi resistanssi verrattuna kupariin.
Destination 2D:n toimitusjohtaja Ravi Iyengar uskoo, että grafeenin käyttöönotto voi muuttaa koko puolijohdeteollisuuden. Yhtiön teknologia pohjautuu sen teknologiajohtajan, UC Santa Barbaran professori Kaustav Banerjeen tutkimuksiin ja patentteihin. Banerjee on ollut grafeenivälijohteiden uranuurtaja ja kehittänyt matalalämpötilaisen, CMOS-yhteensopivan valmistusmenetelmän, joka ratkaisee aiemmat grafeenin kaupallistamisen esteet.
Destination 2D:n CoolC GT300 -laite on nyt saatavilla tilattavaksi, ja yhtiö odottaa suurta kiinnostusta puolijohdeteollisuudessa. Tämä teknologia ei pelkästään paranna nykyisten sirujen suorituskykyä, vaan myös vähentää energiankulutusta ja luo uusia mahdollisuuksia innovaatioille.
Grafeenin integrointi CMOS-prosesseihin voi olla yksi suurimmista edistysaskelista puolijohdeteknologian historiassa, ja Destination 2D näyttää olevan tämän kehityksen eturintamassa.