Intel ja Micron ovat kehittäneet uuden 3D-flashien tekniikan, jolla saadaan jopa kolminkertainen tallennustiheys nykyisiin NAND-tekniikoihin verrattuna. Tekniikalla saadaan tavalliselle 2,5 tuuman SSD-kiintolevylle tuotua jopa 10 teratavun tallennuskapasiteetti.
Intelin ja Micronin yhdessä kehittämä 3D NAND -teknologia pinoaa muistisolukerroksia päällekkäin erittäin suurella tarkkuudella. Valmistustavan ansiosta pienempään tilaan mahtuu enemmän muistia, mikä puolestaan tarjoaa huomattavia säästöjä sekä alhaisen virrankulutuksen ja korkean suorituskyvyn erilaisille mobiililaitteille sekä vaativimpiin yritystason käyttötarkoituksiin.
Tekniikan salaisuus on floating gate- eli ns. kelluvan hilan rakenne. Kyse on yleisesti käytössä olevasta tekniikasta, jota on nyt ensi kertaa päätetty hyödyntää 3D NAND -piirissä paremman suorituskyvyn, laadun ja luotettavuuden mahdollistamiseksi.
Intelin ja Micronin uudessa NAND-muistissa flash-muistisolut pinotaan päällekkäin 32 kerrokseen. MLC-rakenteessa tuloksena on 256 gigatavun piiri ja TLC-rakenteella (triple-level cell) 384 gigatavun siru. Intelin mukaan rakenne mahdollistaa yli 3,5 teratavun muistin toteuttamisen vanhan purukumilevyn kokoiseen SSD-muistiin.
Uuden muistin 256 gigatavun MLC-versio on parhaillaan testattavana valikoiduilla kumppaneilla. 384 gigatavun TLC-versio tulee näytteiksi myöhemmin tämän kevään aikana. Tuotantolinjalla on jo tehty ensimmäiset tuotantoajot, ja molemmat tuotteet ovat volyymituotannossa ensi syksynä.