GaN (galliumnitridi) tarjoaa erinomaisen suorituskyvyn erityisesti korkean taajuuden ja matalan tehon sovelluksissa, sillä se mahdollistaa erittäin nopean kytkennän, korkean sähkönjohtavuuden ja pienen häviön. Sen korkea eristevahvuus ja kyky kestää suuria jännitteitä tekevät siitä myös ihanteellisen tehoelektroniikassa. Lisäksi GaN voidaan kasvattaa piialustoille, mikä vähentää valmistuskustannuksia ja mahdollistaa kompaktien, kevyiden ja tehokkaiden komponenttien suunnittelun esimerkiksi 5G-laitteisiin, RF-sovelluksiin ja tehonmuuntimiin.
SiC (piikarbidi) on erinomainen materiaali korkean tehon ja lämpötilan sovelluksiin, sillä sillä on erittäin hyvä lämmönjohtavuus, suuri kestävyys ja kyky toimia tehokkaasti korkeissa lämpötiloissa ja jännitteissä. SiC-komponentit ovat ihanteellisia raskaan teollisuuden, sähköajoneuvojen ja uusiutuvan energian järjestelmissä, joissa tarvitaan luotettavaa suorituskykyä vaativissa olosuhteissa. Lisäksi SiC:n alhaiset kytkentähäviöt ja korkea tehokkuus tekevät siitä houkuttelevan vaihtoehdon energiaintensiivisissä sovelluksissa, vaikka sen valmistus onkin kalliimpaa ja monimutkaisempaa.
SiC:ssä on kuitenkin haasteensa. Se on kalliimpi ja vaikeampi valmistaa kiteiseksi materiaaliksi. GaN voidaan kasvattaa piialustalle, mikä voi helpottaa sen käyttöä joissakin sovelluksissa. Tähän asti GaN on usein ollut "helpompi" ratkaisu korkean taajuuden ja pienen tehon sovelluksissa, kun taas SiC on parempi, kun tarvitaan kestävyyttä ja tehokasta lämmönhallintaa.
Power Integrations esitteli messuilla graafin, joka näyttää ajan myötä kutistavan SiC:n potentiaalisen markkinan olemattomiin. Jo nyt GaN näyttää voittavan kisan alle 10 kilowatin teholuokissa ja pian alkaa GaN-tuotteiden vyöry myös 100 kilowatin alueelle. Megawattiluokassa kytkimet perustuvat pääosin piipohjaiseen IGBT-transistoriin. Power Integrationsin graafi tässä alla.
Power Integrationsin Electronica-messuilla esittelemä InnoMux-2-sarjan kytkin (yläkuva) vie osaltaan tätä kehitystä eteenpäin. Uutuus sisältää ensimmäisen 1700 V galliumnitridikytkimen, joka on valmistettu yhtiön omalla PowiGaN-teknologialla. Kytkin tukee 1000 VDC nimellistä tulojännitesovellusta flyback-konfiguraatiossa ja saavuttaa yli 90 prosentin hyötysuhteen, kun sitä käytetään yksi-, kaksi- tai kolmituloisissa sovelluksissa.
InnoMux-2 IC tarjoaa erittäin tarkan, itsenäisesti säädetyn monijännitelähdön, joka poistaa jälkiregulaattorien tarpeen ja parantaa järjestelmän kokonaistehokkuutta jopa 10 prosenttia. Tämä tekee siitä kustannustehokkaan vaihtoehdon korvaamaan kalliita piikarbidi-transistoreja esimerkiksi autojen latureissa, aurinkoinverttereissä, kolmivaihemittareissa ja teollisissa virtalähdejärjestelmissä.
Autoteollisuus on siirtymässä yhä monimutkaisempiin ohjelmistopohjaisiin järjestelmiin, joissa virheetön ohjelmisto on elintärkeää turvallisuuden ja suorituskyvyn varmistamiseksi. Ohjelmiston laatu ja luotettavuus eivät ole enää vain valinnaisia ominaisuuksia, vaan kriittisiä vaatimuksia erityisesti autonomisessa ajamisessa, kehittyneissä kuljettajaa avustavissa järjestelmissä (ADAS) ja yhdistetyissä ajoneuvojärjestelmissä.
Kestävä digitaalinen infrastruktuuri on kriittinen, jotta tietoliikenneverkot voidaan tehokkaasti valjastaa tekoälyinnovaatioiden ja pilvipohjaisten palveluiden tarpeisiin. Tekoälyyn liittyvien datarikkaiden sovellusten lisääntyvä kysyntä edellyttää tietoliikenneverkkoa, joka kykenee käsittelemään suuria tietomääriä alhaisella viiveellä, kirjoittaa Orange Businessin kumppaniratkaisuista vastaava Carl Hansson.
Euroopan unioni ottaa merkittävän askeleen avaruusteknologian kehittämisessä allekirjoittamalla sopimuksen uuden IRIS²-satelliittijärjestelmän toteuttamisesta. Tämä 290 satelliitin verkko on suunniteltu vahvistamaan Euroopan itsenäisyyttä ja turvallista yhteydenpitoa.
Jotta voidaan vastata uuden teknologian vaatimuksiin ja pitää järjestelmät toimimassa ”kellon tavoin”, on aika harkita ajoitusratkaisuja uudelleen. Tässä kaksiosaisessa "Precision Timing" -artikkelissa opit, miksi mikroelektromekaanisiin järjestelmiin eli MEMS-komponentteihin perustuvat piiajoituslaitteet päihittävät kvartsin elektroniikkasuunnittelun uudella aikakaudella. 
Matalatehoisten langattomien ratkaisujen asiantuntija Nordic Semiconductor ja eSIM-ratkaisuja kehittävä Kigen ovat julkistaneet yhteistyön, joka sujuvoittaa massiivisten IoT-verkkojen käyttöönottoa. Yhdessä he esittelevät CES 2025 -messuilla ratkaisun, joka yhdistää Nordic Semiconductorin nRF9151-moduulin ja Kigenin SGP.32 IoT eSIM-teknologian sekä laitteiden hallinta-alustan.
