EEPROM-teknologian kehityksestä on kulunut lähes 40 vuotta, mutta se on edelleen suunnittelijoiden suosima ei-haihtuva muisti (NVM) monissa uusissa laitteissa. EEPROM valitaan sovelluksiin, joissa tarvitaan tavutason kirjoitustarkkuutta, erittäin pientä tehonkulutusta, pitkää luku-/kirjoitussyklien elinikää ja pitkää datan säilyvyyttä. EEPROM on myös helppokäyttöinen, erittäin joustava ja skaalautuva ratkaisu.
Lisäksi viimeaikaiset innovaatiot, kuten UID (Unique ID) -EEPROM ja Page EEPROM, tukevat hyvin nykypäivän suunnittelutrendejä, kuten reunalaskentaa, tuotesuojauksia ja elektroniikan korjattavuutta.
EEPROM-valmistajat jatkavat teknologian kehittämistä ja tuotantoprosessien parantamista: kapasiteetit kasvavat, suorituskyky nousee, tehonkulutus pienenee ja luotettavuus paranee.
Avainvahvuudet ja -sovellukset
Suunnittelijoilla on nyt valittavana useita NVM-tyyppejä, joilla on erilaisia vahvuuksia – kuten sarja-NOR-flashin suuri nopeus, mikro-ohjainten upotetun flashin kustannusetu tai FRAMin erittäin nopea kirjoitus.
EEPROMin tavutason kirjoitusgranulariteetti on kuitenkin ominaisuus, joka erottuu selvästi ja tekee siitä ylivoimaisen esimerkiksi dataloggauskäytössä. Älypuhelimissa, joissa tila on äärimmäisen rajallista ja flashin emuloitu EEPROM vaikuttaa järkevältä ratkaisulta, tämä granulariteetti varmistaa silti EEPROMin paikan piirilevyllä.
Alhainen tehonkulutus sopii täydellisesti akkukäyttöisiin laitteisiin, kuten älyantureihin, älykelloihin, puettaviin laitteisiin sekä terveys- ja kuntoilutuotteisiin.
EEPROM tarjoaa myös erittäin pitkän luku-/kirjoitussykli-iän ja datan säilyvyyden, mikä on välttämätöntä autoteollisuuden dataloggauksessa. EEPROM sopii esimerkiksi ajoneuvojen ohjainlaitteiden parametriarvojen tallennukseen ja autonomisten järjestelmien useiden sensorikanavien tallenteisiin. Yli 100 vuoden datansäilyvyys takaa, että muisti toimii koko ajoneuvon eliniän.
Suunnittelijat arvostavat myös EEPROMin joustavuutta tuotekehityksessä. Tarvittavaa muistimäärää on usein vaikea arvioida projektin alussa, ja tarve kasvaa tyypillisesti suunnittelun edetessä. Sarja-EEPROM-malleja on saatavilla samoilla koteloilla ja pinneillä 1 kilobitistä 4 megabittiin ja suurempiin kapasiteetteihin asti. Tämä mahdollistaa kapasiteetin kasvattamisen ilman muutoksia piirilevyyn.
Kaksi viimeaikaista innovaatiota – Page EEPROM ja UID EEPROM – osoittavat, kuinka teknologia mukautuu moderneihin vaatimuksiin, kuten edge-AI:hin, tuotteen aitouden varmistamiseen sekä elektroniikan elinkaaren pidentämiseen.
Page EEPROM: datavaraston lasikaton rikkominen
Viimeisten 40 vuoden aikana sovellusten tallennusvaatimukset ovat kasvaneet tasaisesti. 2000-luvulla yli 256 kilobitin EEPROM tuntui epärealistiselta, kuten tuntui 2 Mbit vielä 2020-luvun alussa. Sarja-EEPROMin ideana on, että kehittäjä tarvitsee vain pienen 8-nastaisen kotelon ja voi valita käyttöönsä minkä tahansa kapasiteetin.
ST on rikkonut tämän ”lasikaton” tuomalla markkinoille Page EEPROMin, joka tarjoaa jopa 32 megabitin kapasiteetin samassa pienessä 8-nastaisessa paketissa.
Page EEPROM on STMicroelectronicsin kehittämä hybridimuisti. Se yhdistää flashin vahvuudet – kuten nopeat OTA (over-the-air) -ohjelmistopäivitykset – EEPROMin tehonkulutukseen ja kestävyyteen. Se sopii erityisen hyvin älymittareihin sekä dataintensiivisiin edge-AI-sovelluksiin, kuten teollisuuden antureihin, kunnonvalvontaan, paikannukseen, e-pyöriin ja lääkinnällisiin laitteisiin. Varhaisimpia sovelluksia olivat korvantauskuulokojeet ja GPS-paikantimet.
Page EEPROM tuli markkinoille vuonna 2024 kapasiteeteilla 8, 16 ja 32 Mbit. Laitteet tukevat tavutason kirjoitusta dataloggausta varten, ja sivu-/lohko-/sektoripoistot sekä sivuohjelmointi mahdollistavat tehokkaan laiteohjelmiston OTA-hallinnan. Bufferointi tehostaa alkuperäistä ohjelmointia.
Muistin lukunopeus on 320 Mbit/s – selvästi nopeampi kuin perinteisellä EEPROMilla ja lähellä sarja-NOR-flashia. Kirjoituskestoisuus on 500 000 sykliä, moninkertaisesti perinteistä flashia parempi. Datan säilyvyys on 100 vuotta.
Virrankulutus voi olla jopa kymmenen kertaa pienempi kuin vastaavilla flash-pohjaisilla ratkaisuilla. Kirjoitusvirta on samaa tasoa kuin perinteisellä EEPROMilla, ja syvävirransäästötila pudottaa kulutuksen alle 1 µA:n. Lisäksi huippuvirran rajoitus alle 3 mA vakauttaa virrankulutusta ja vähentää häiriöitä – tämä mahdollistaa pienemmät akut ja pidemmän toiminta-ajan.
UID EEPROM
UID EEPROM sisältää 128-bittisen, tehdasohjelmoidun ja pysyvästi lukitun yksilöllisen tunnisteen (UID). Koska tunnistetta ei voi muuttaa, valmistajat voivat käyttää sitä kevyenä turvaelementtinä tuotteen aitouden varmistamiseen ja kloonauksen estoon. UID mahdollistaa myös tuotteen jäljitettävyyden, mikä tukee luotettavuusanalyysiä ja helpottaa laitteiden uudelleenkäyttöä ja korjausta kestävän kehityksen tavoitteiden mukaisesti.
UID tallennetaan normaalin käyttäjämuistin lisäksi, ja käyttäjätilaa on jopa 2 Mbit parametreille ja datalogiin. Laitteet tarjoavat neljän miljoonan kirjoitussyklin kestävyyden ja 200 vuoden datansäilyvyyden. Tehonkulutus on erittäin alhainen.
EEPROM tukee I²C-väylää 1 MHz Fast Mode Plus -nopeudella ja mahdollistaa satunnaiset ja peräkkäiset lukutoiminnot. Lisäksi koko muistialueen voi asettaa kirjoitussuojattuun tilaan.
Asema tänään
Maailmanlaajuisen EEPROM-markkinan koko on noin 800 miljoonaa dollaria vuodessa. STMicroelectronics on valmistanut EEPROMeja vuodesta 1987 ja on ollut markkinoiden suurin toimittaja vuodesta 2005. Yhtiö on toimittanut noin 44 miljardia laitetta ja tarjoaa yli 400 tuotenumeron valikoiman, mukaan lukien UID- ja Page EEPROMit.
ST:n portfolio kattaa laajimman kapasiteetti- ja kotelovalikoiman sekä eri lämpötila- ja suorituskykyluokat, ja tuotteet tukevat standardijännitteitä 1,2–5 V. Kaikki laitteet kuuluvat ST:n pitkäikäisyysohjelmaan: kaupalliset ja teollisuusluokan EEPROMit taataan 10 vuodeksi ja autoluokan versiot 15 vuodeksi.
IDM-malli (Integrated Device Manufacturer) antaa ST:lle täyden kontrollin suunnittelusta tuotantoon ja markkinointiin. Tiivis sisäinen yhteistyö parantaa tuotteiden laatua ja nopeuttaa kehitystä sekä mahdollistaa asiakaspalautteen hyödyntämisen tuotekehityksessä.
Teknologian kehittyessä EEPROM-solun koko on pienentynyt yli 500-kertaiseksi ensimmäisiin sukupolviin verrattuna, kun taas muistitiheys on kasvanut tuhannella samalla sirukoolla. Kestävyys on noussut jopa 4 miljoonaan sykliin ja datan säilyvyys on käytännössä virheetöntä.
Tulevaisuuden muisti
EEPROM tarjoaa edelleen vahvan vaihtoehdon flashille ja FRAMille sovelluksissa, joissa tarvitaan erittäin luotettavaa ja suorituskykyistä ei-haihtuvaa muistia. Uudet innovaatiot laajentavat sen käyttömahdollisuuksia, ja teknologian jatkuva kehitys parantaa edelleen sen vahvuuksia.
Nykyisessä AI-keskeisessä ja kestävän kehityksen maailmassa uusin EEPROM-sukupolvi vastaa laitteistosuunnittelun muuttuviin tarpeisiin.
Lisätietoja: www.st.com/eeprom
|
Artikkeli on ilmestynyt uusimmassa ETNdigi-lehdessä. Sen pääset lukemaan täällä. |
Kun suurteholaskennan (HPC) työkuormat monimutkaistuvat, generatiivinen tekoäly sulautuu yhä tiiviimmin moderneihin järjestelmiin ja lisää kehittyneiden muistiratkaisujen tarvetta. Vastatakseen näihin muuttuviin vaatimuksiin ala kehittää uuden sukupolven muistiarkkitehtuureja, jotka maksimoivat kaistanleveyden, minimoivat latenssin ja parantavat energiatehokkuutta.