IBM:n tutkimusyksikkö on ilmoittanut valmistaneensa maailman ensimmäiset 7 nanometrin prosessissa toteutetut puolijohdepiirit. Yhdessä Globalfoundriesin ja Samsungin kanssa tutkijat valmistivat piirin, jossa sormenkynnen kokoiselle ahdettiin yli 20 miljardia transistoria.
7 nanometrin viivanleveys merkitsi, että tutkijat joutuivat kehittämään uudenlaisia valmistusmenetelmiä. Näihin kuuluivat piigermanium- eli SiGe-pohjaiset kanavatransistorit ensimmäistä kertaa sekä EUV-litografian käyttö piirien valotuksessa.
Uusien SiGe-piirien valmistus oli osa IBM:n ja sen kumppanien viisivuotista tutkimushanketta, jonka rahallinen arvo on kolme miljardia dollaria. 7 nanometrin prosessista uskotaan tulevan seuraava sukupolvi, joka korvaa nyt protovaiheessa olevan 10 nanometrin valmistustekniikan esimerkiksi mikroprosessoreissa.
Verrattuna tämän päivän edistyneimpiin valmistustekniikoihin IBM kertoo saavuttaneensa lähes 50 prosentin säästön piirin vaatimassa piialassa. Esimerkiksi Power-mikroprosessorien kannalta tämä lupaa, että suorituskyky kasvaa 50 prosenttia ja tehonkulutus pienenee saman verran.
Tutkimustyötä tehtiin ja testipiirit valmistettiin New Yorkin Albabyssä sijaitsevassa SUNYn polyteknisessä instituutissa.