Samsung on ottanut ison askeleen DRAM-muistien tuotannossa, kun se sanoo aloittaneensa volyymituotannon alle 20 nanometrin prosessissa. Ensimmäinen tuotantolinjoille ehtinyt piiri oli kahdeksan gigabitin DDR4-väyläinen muisti.
Samsung ei ole enää vuosiin kertonut tuotantoprosessiensa yksityiskohtia. Alle 20 nanometrin eli 10 nanometrin luokan piirien viivanleveys on 10 ja 19 nanometrin välillä. Arvattavasti prosessina on 16 nanometriä.
Samsungin mukaan DRAM-prosessin skaalaaminen 20 nanometriä pienemmäksi oli suuri haaste. Siihen päästiin ilman seuraavan polven EUV- eli ultraviolettilitografiaa. Piirien valotuksesa käytettiin sen sijaan ArF-immersiotekniikkaa, jossa valotus skaalataan pienempään argon-fluoridi-pohjaisen linssijärjestelmän läpi.
Uudet 8 gigabitin piirit siirtvätä dataa 3200 megabitin sekuntinopeudella, mikä on 30 prosenttia nopeammin kuin aiemmissa 20 nanometrin prosessissa valmistetuissa DDR4-siruissa. Uusi prosessi pienentää myös tehonkulutuksta 10-20 prosenttia, mikä tekee muistia hyödyntävistä tehotyöasemista ja superkoneista entistä energiatehokkaampia.
Samsung muistuttaa, että toisin kuin NAND-flasheissa joissa muistisolu koostuu vain yhdestä transistorista, DRAM-solu vaatii yhteen linkitetyn kondensaattorin ja transistorin. Alle 20 nanometrin viivanleveydessä soluun pitää mahduttaa hyvin ohut sylinterimäinen kondensaattori muutaman kymmenen nanometrin levyisen transistorin päälle.
Samsung lupaa tuoda uuden tiheämmän prosessin myös mobiilimuistien tuotantoon myöhemmin tänä vuonna.