Electronica – Tehonhallinta on kuuma aihe myös Electronica-messuilla. Aika moni puhuu Samsungin Note 7 -katastrofista. Messuhalleista löytyy myös yksi yritys, johon Samsung on jo ottanut yhteyttä katastrofin jälkeen.
Kyse on pienestä piilaaksolaisesta Silegosta, joka tunnetaan pienistä, yleensä liimalogiikkana käytetyistä konfiguroitavista sekasignaalisiruista. Tuoterepertuaarista löytyy myös komponenttien virtasuojauspiirejä, jotka perustuvat yhtiön omaan CuFET- eli kuparifettiteknologiaan.
Silegolla tehokomponenteista vastaava Adolfo A. Garcia kertoi, ettei lopullista syytä Note 7:n ongelmiin ole vieläkään selvitetty tai kerrottu. - Selvästi kyse on huonosta tehonsuunnittelusta, Garcia arvioi.
Käytännössä Note 7:ssa on todennäköisemmin pettänyt joku tehokomponentti, jota ei ole suojattu riittävästi. Garcia mukaan Silegon tehopiirit eroavat kilpailijoista siinä, että ne ovat pienempiä, mahdollistavat suuremmat tehotiehydet (2000-3000 ohmia), ovat koteloiltaan pienempiä – jopa 2-3 kertaa pienempiä. Lisäksi piirit kuluttavat tehoa jopa vain 1/20 kilpailijoihin verrattuna.
Silegon patentoidulla CuFET-rakenne on ”käänteinen”. Siinä päästään eroon bondauksista ja metallikehyksestä, sillä rakenne perustuu läpivienteihin ja kokoonpanossa piirille tuotuihin kuparipilareihin. Näiden ansiosta piirin ala pysyy selvästi pienempänä, mutta suorituskyky erittäin hyvänä.
Silego käyttää TSMC:tä sopimusvalmistajanaan sekä muutamaa kokoonpanijaa piirien valmistuksessa. Tuloksena on sarja erittäin pienikokoisia, 125 prosenttiin asti kvalifioituja suojauspiirejä. Sellaisia, joista Samsungkin on nyt kiinnostunut.