Ruotsalaisessa Lundin yliopistossa on vuosia tutkittu elektroniikan peruskomponenttien rakennetta ja suorituskykyä. Nyt lundilaiset kertovat, että heidän kehittämänsä tekniikka leikkaa transistorin virrankulutuksen jopa kolmasosaan nykyisestä.
Lundin nanotekniikan professori Lars-Erik Wernersson on ryhmineen kehittänyt uuden rakenteen, jonka avulla transistori operoi ns. termisen rajan alapuolella. Tämä tarkoittaa, että alhaisilla jännitteillä tehonkulutus putoaa noin kolmasosaan.
Wernerssonin tiimi esitteli tutkimustuloksensa IEDM-konferenssissa viime viikolla. Tutkimusta on rahoitettu EU:n E2switch-projektista.
Transistorien ns. terminen raja on 60 millivolttia/dekanimuutos eli virran 10-kertaistuminen. Uudella tunnelirakenteella Lundin tiimi osoitti, että varauksenkuljettajat voivat toimia tämän rajan alla. Transistorin suorituskyky jopa ylittää nykytransistorien suorituskyvyn, Wernersson kehuu.
Wernersson arvioi, että uusi transistorirakenne voisi olla kaupallisessa käytössä 5-10 vuoden kuluessa. Saavutettavat virransäästö piiriä kohti riippuu transistorien määrästä sirulla. Selvää on, että monissa IoT-laitteiden antureissa ja radiosiruissa innovaatio voisi tuoda merkittäviä säästöjä.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
Englantilainen Pickering Interfaces esitteli Electronica-messuilla uuden sukupolven yksipaikkaisen sulautetun PXIe-ohjaimensa mallimerkinnältään 43-920-002. Uutuus on markkinoiden kompaktein ja tehokkain 3U-ohjain PXI Express -alustalle.
