Safiiri on edelleen yleisin alusta, jolle ledejä kasvatetaan. Pikkuhiljaa monia etuja sisältävä galliumnitridi-piillä kuitenkin yleistyy. Prosessit edistyvät ja GaN-on-Si -ledien lukemat parantuvat.
Galliumnitridi piillä on haasteellinen valinta ledien valmistajille. Prosessilla on ollut vaikea saada tietyissä valkoisen värilämpötiloissa yhtä kirkasta valoa kuin safiirilla. Nyt englantilainen Plessey Semiconductor on esitellyt toisen polven MAGIC-lediperheensä (Manufactured on GaN-on-Si I/C). Siinä valoteho on onnistuttu kaksinkertaistamaan.
Plesseyn teknologiajohtaja Keith Stricklandin mukaan yhtiö yltää galliumnitridipohjaisissa ledeissään pian safiiripohjisten ledien tasolle. - Tämä merkitsee uutta läpimurtoa siinä, miten paljon valotehoa eli lumeneita saadaan dollarilla aikaan, Strickland kuvaa.
Kustannustehokkuus tulee ennen kaikkea siitä, että Plessey valmistaa ledejään standardiprosessissa kuusituumaisilla kiekoilla. Ledivalmistajista vain Toshiba valmistaa GaN-on-Si -ledejä 8-tuumaisilla kiekoilla.
Plesseyn uusin ledi on mallimerkinnältään PLW114050. Se toistaa valkoisen lämpötila-alueella 6500-2700 kelviniä. Ledejä ajetaan 60 milliampeerin virralla. Ne on pakattu standardeihin 3020-koteloihin.