798 gigahertsiä on erittäin nopea kytkentänopeus. Siihen kuitenkin ylsivät saksalaiset ja amerikkalaiset tutkijat piigermanium-pohjaisella transistorillaan. Lukema on uusi maailmanennätys ja rikkoo aiemman noteerauksen parilla sadalla megahertsillä.
Frankfurtissa toimivan IHP-tutkimuslaitoksen (Innovations for High Performance Microelectronics) ja Georgian Institute of Technologyn tutkijat valmistivat SiGe-piirin 130 nanometrin BiCMOS-prosessissa. Huoneenlämpötilassa transistorin kytkentänpeus yksi 417 gigahertsiin.
Kun piiri vietiin erittäin kylmään tilaan, jossa lämpötila oli 4 kelviniä, kytkentänopeus kiihtyi 798 gigahertsiin. Tutkimusta vetänään professori John D. Cresslerin mukaan ei kuitenkaan olla kaukana siitä, että ennätysnopeuksiin ylletään myös normaalilämpötilassa.
Cresslerin mukaan SiGe-piiri oli suunnittelultaan konservatiivinen. - Tulosten perusteella uskon, että tulevaisuudessa on mahdollistaa kehittää terahertsin nopeudella toimivia, käyttökelpoisia SiGe-piirejä, Cressler hehkuttaa.
Jo nyt kehitetty SiGe-piiri voisi yltää huippulukemiin kylmissä olosuhteissa. Esimerkiksi avaruudessa komponentit joutuvat usein toimimaan erittäin kylmissä lämpötloissa.
Protopiiri valmistettiin Frankfurtissa. Georgia Techin tutkimusryhmä vastasi piirin analysoinnista ja testaamisesta. Tulokset julkistettiin IEEE Electron Device Letters -lehdessä.