Jotta yhä enemmän bittejä saataisiin tallennettua yhä pienempään tilaan, pitää transistoreja valmistaa yhä pienemmillä viivanleveyksillä. Perinteisestä litografiasta ollaan nyt siirtymässä EUV-pohjaisiin askelvalottimiin, jotta kehitys ei pysähtyisi. Samsung sanoo toimittaneensa jo miljoona EUV-tekniikalla valmistettua DRAM-moduulia.
Perinteisissä askelvalottimissa käytetään 193 nanometrin valonlähdettä. Sillä esimerkiksi 14 nanometrin kuvioiden valottaminen on haastavaa jo optisesti. EUV-laitteissa (extrem ultraviolet) käytetään 13,5 nanometrin laseria, joten valmistus tulee mahdolliseksi. Haastavaa se on edelleen ja esimerkiksi riittävän vahvojen valonlähteiden hakuun stepperivalmistajat kuluttivat vuosikausia.
Tällä hetkellä EUV on kuitenkin arkipäivää esimerkiksi uusissa älypuhelinpiireissä, jossa prosessi on kutistunut jo 7 nanometriin. DRAM-piireissä Samsung on ensimmäinen valmistaja, joka tuottaa DRAM-moduuleja EUV-tekniikalla valmistetuista siruista.
Samsung ei tarkkaan kerro uusien DRAM-sirujensa viivanleveyttä. Yhtiö puhuu 10 nanometrin luokan D1x -piireistä. Väylä perustuu DDR4-arkkitehtuuriin ja uusia moduuleja ovat olleet arvioimassa globaalit asiakkaat PC-, mobiililaite-, palvelin- ja datakeskussektoreilla.
Samsung kertoo ottavansa EUV-prosessin täysimääräisesti käyttöön tulevissa DRAM-sukupolvissa. 14 nanometrin DDR5- ja LPDDR5-piirien EUV-volyymituotanto alkaa ensi vuonna. Yhtiö on ottamassa toista EUV-linjaa tuotantoon Korean Pyeongtaekissa tämän vuoden jälkipuoliskolla.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
