Vaihemuutokseen (phase change) perustuvan muistin tiedetään yhdistävän DRAM-muistien suorituskyvyn flash-piirien haihtumattomuuteen, mutta niiden valmistaminen on ollut erittäin vaikeaa. Nyt IBM katsoo osoittaneensa, että PCM voitaisiin viedä kaupalliseen käyttöön palvelimissa.
PCM-muisti perustuu kahden elektrodin välissä olevaan materiaaliin, jonka tilaa (olomuotoa) voidaan vaihdella virran avulla. Suurempi virta muuttaa materiaalin amorfiseksi, pienempi kiteiseksi.
Tämä tila voidaan pienellä virralla lukea nolliksi tai ykkösiksi. IBM:n mukaan bitti ohjelmoidaan nollaksi 70 nanosekunnissa ja ykköseksi 120 nanosekunnissa. Testipiireissä prosessina oli 90 nanometriä, mikä toki on useita prosessisukupolvia nykyisiä flasheja perässä.
Silti PCM on monin tavoin flashia parempi tekniikka, ainakin teoriassa. Flash-prosessit alkvat tulla tiensä päähän, sillä rakenteen pieni geometria aiheuttaa suuria ongelmia bittien erottamisessa alle 20 nanometrin viivanleveyksissä.
Myös PCM:n elinikä on selvästi flashia parempi. Flash voidaan uudelleenohjelmoida noin 10 000 kertaa, kun PCM-myistiin voidaan tallentaa uutta dataa ainakin 10 miljoonaa kertaa. Virheenkorjausta käytettäessä syklejä saadaan jopa 10 biljoonaa.