Galliumnitridi eli GaN on jo kutistanut älypuhelimien laturit ja parantanut niiden hyötysuhdetta, mutta seuraavaksi vuorossa ovat teollisuuden teholähteet. ROHM on esitellyt uudet tehoasteet EcoGaN-sarjaan. Ne tarkoittavat pienempää kokoa ja pienempiä häviöitä.
Uusissa piireissä on sisäänrakennettu 650 voltin GaN-pohjainen HEMT ja porttiohjain. BM3G0xxMUV-LB-sarja pienentää tehoasteen fyysistä kokoa 99 prosenttia ja tehohäviöitä 55 prosenttia, kun verrataan piipohjaisten MOSFETtien käyttöön. Piirit sopivat ihanteellisesti ensisijaisiin virtalähteisiin teollisuus- ja kuluttajasovelluksissa, kuten palvelimissa ja verkkolaitteissa.
Kuluttaja- ja teollisuussektorit vaativat yhä enemmän energiansäästöjä kestävän yhteiskunnan saavuttamiseksi viime vuosina. Vaikka GaN HEMT:iden odotetaan myötävaikuttavan merkittävästi suurempaan miniatyrisointiin ja parempaan tehon muunnostehokkuuteen, portin käsittelyn vaikeus pii-MOSFETeihin verrattuna vaatii erillisen portin ajurin käyttöä.
Vastauksena tähän ongelmaan ROHM kehitti tehovaiheen IC-piirit, jotka integroivat GaN HEMT:t ja porttiohjaimet yhdeksi koteloratkaisuksi. Lisäksi BM3G0xxMUV-LB-sarja (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB) sisältää lisätoimintoja ja oheiskomponentteja, jotka on suunniteltu maksimoimaan GaN HEMT -suorituskyvyn, sekä 650 V:n GaN HEMT:t - seuraavan sukupolven teholaitteet.
Lisätietoja ROHM:n sivuilta.