Piiritekniikan jokavuotinen IEDM-konferenssi on jälleen esitellyt uusia sirutekniikoita. Yksi mielenkiintoisimmista on Intelin demoama CMOS-piirien 3D-tekniikka. Siinä piitransistorin päälle oli pinottu galliumnitridi-transistori.
Intelin mukaan 3D-ratkaisun kaltaiset innovaatiot pitävät elossa sen tavoitteen, että prosessoripiirillä olisi vuonna 2030 jo biljoona eli tuhat miljardia transistoria. Tämä lienee hyvin hankalaa vain prosessigeometriaa kutistamalla, mutta 3D-rakenteilla täysin toteutettavissa.
Intelin 3D-rakenteen salaisuus on se, että transistorien virransyöttö siirretään hilan takapuolelle. Virtajohtimet saadaan myös vietyä transistorikerroksen läpi jo pari vuotta sitten esitellyn PowerVia-tekniikan ansiosta. Intelin mukaan tekniikka on tulossa kaupalliseen käyttöön jo ensi vuonna.
Intelin demossa transistorihilojen välinen etäisyys on 60 nanometriä. Piirit oli valmistettu 300-millisellä kiekolla ja ensimmäistä kertaa pii- ja GaN-transistorit oli toteutettu saman piirin sisällä, ei siis vain samassa kotelossa.
3D-rakenteita on käytetty muistipiireissä jo pitkään. Flash-siruissa on pinottu jopa yli 200 eri metallointikerrosta päälleikkäin. CPU-sirulla Intelin esittelemä piiri on kuitenkin toistaiseksi ensimmäinen ja ainoa.
Elektroniikka- ja kodinkonekaupan yhdistys ETKOn lukujen mukaan Suomessa myytiin heinä-syyskuussa reilut 636 tuhatta puhelinta, mikä on 4,4 prosenttia enemmän kuin vuotta aikaisemmin. Rahassa mitattuna myynnin arvo sen sijaan laski 1,6 prosenttia.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.
