Flashmuisti on edelleen yksi nopeimmin kasvavia sirusektoreita älypuhelimien ja tablettien voimakkaan kasvun myötä. Ei siis ihme, että kakkua jakamaan ilmoittautuu tasaisin väliajoin uusia mullistavia muistitekniikoita. Kalifornialaisen Crossbarin uusi RRAM (resistiinen RAM) on uusin yrittäjä.
Flashin tapaan haihtumattoman RRAMin etuna on suuri kapasiteetti. Crossbarin mukaan yhdelle 200 neliömillin sirulle eli pienen postimerkin kokoiseen tilaan voidaan tallentaa jopa teratavun verran dataa.
Crossbarin mukaan RRAMin tehonkulutus on selväti flashia pienempi, mikä osaltaan pidentää akkukäyttöisten laitteiden toiminta-aikaa. RRAM on myös nopea, sillä dataa tallentuu muistiin 20 kertaa nyky-NAND-siruja nopeammin.
Teoriassa RRAM-muistille voitaisiin tallnetaa älypuhelimen käyttöön esimerkiksi 250 tuntia teräväpiirtoelokuvaa. Muistikapasiteetti lupaa siis hypätä tekniikan myötä aivan uudelle tasolle.
Eikä kaupallistaminenkaan kaukana ole, sillä Crossbar kertoi jo saaneensa valmiiksi toimivan RRAM-piirin kaupallisessa sirutehtaassa. Valmistajan nimeä yritys ei ole kertonut, mutta kyse on standardista cmos-prosessista.
Crossbarin toimitusjohtaja George Minassian kertoo, että nykyiset flashmuistit uhkaavat tulla tiensä päähän viivenleveyksien skaalautuessa yhä pienempään.
- RRAM on haihtumattomien muistien markkinat mullistava tekniikka. Piirit on helppo valmistaa ja tekniikkamme on valmis kaupallistettavaksi, Minassian hehkuttaa.
Crossbarin muistisolu rakentuu kolmelle yksinkertaiselle kerrokselle. Alimpana on ei-metallinen pohjaelektrodi ja päällimmäisenä metallinen elektrodi. Keskellä oleva resistanttinen kytkentäkomponentti perustuu amorfiseen piihin. Siihen muodostuu säie, kun elektrodien väliin johdetaan jännite.
Crossbarin mukaan ensimmäiset RRAM-tuotteet tulevat olemaan mobiililaitteiden SoC-siruille sulautettuja muisteja.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.