Ledien valmistus alkaa olla kypsä siirtymään piialustalle. Pii tuo valmistukseen kustannustehokkuutta ja niiden valovoima kehittyy koko ajan. Jatkossa piin monet edut erityisesti valmistusprosessissa tulevat lisäämään alustan suosiota.
Tähän asti safiirikiekko on ollut ledipiirien valmistuksen suosituin alusta. Galliumnitridi safiirilla -ledien valmistus on tyypillisesti tapahtunut 2- tai 4-tuumaisilla kiekoilla. Viime aikoina on ylitetty joitakin teknologisia esteitä niin, että myös 6-tuumaisilla safiirikiekoilla on kyetty valmistamaan laadukkaita ledejä riittävällä saannolla.
On myös kehitetty joukko vaihtoehtoisia alustamateriaaleja, joilla on erilaisia kehittyneempiä ominaisuuksia. Galliumnitridi galliumnitridillä (GaN-on-GaN) ja galliumnitridi piillä (GaN-on-Si) käytännössä poistavat epäyhteensopivuudet alustan ja aktiivin ledimateriaalin väliltä, mikä parantaa tehokkuutta.
Puhtaiden piikiekkojen käyttö voi toisaalta tuoda merkittäviä säästöjä jo senkin takia, että sen hinta on vain kahdeksasosa safiirikiekon hinnasta (Lux Researchin mukaan). Lisäksi valmistajat voivat käyttää standardeja puolijohteiden valmistuslaitteita ja kiekkokokoja aina 8 tuumaan (200 mm) asti. 8-tuumaisia piikiekkoja on helposti tarjolla, samoin kustannustehokkaita kotelointitekniikoita.
Toshiba Electronics Europen Matthias Diephaus on kirjoittanut artikkeli GaN-On-Si -ledien tekniikasta. Teksti löytyy artikkeliosuudestamme.