Kun piihin iskeytyy alfa- tai neuronisäteitä, ne voivat vaikuttaa piirin toimivuuteen. Muisteissa ilmiö aiheuttaa bittivirheitä (soft errors). Renesas on kehittänyt tekniikan, joka tekee SRAM-muisteista merkittävästi nykyistä luotettavampia.
110 nanometrin prosessissa valmistettavissa 16 ja 32 megabitin SRAM-piireissä hyödynnetään uutta muistisolutekniikkaa. Sen avulla muistit ovat yli 500 kertaa vastustuskykyisempiä säteilyn aiheuttamille bittivirheille.
Tyypillisesti bittivirheitä korjataan erillisillä virheenkorjausosioilla SRAM-muisteissa. Näillä ECC-piirellä (error correction code) on kuitenkin rajoituksensa. Esimerkiksi yhtäaikaisia bittivirheitä useisiin bitteihin ne eivät osaa korjata.
Renesasin uudessa rakenteessa jokaiseen SRAM-soluun lisätään kahden elektrodin kondensaattori. Tämän ansiosta solusta tulee käytännössä immuuni bittivirheille. Lisäksi jokaisen SRAM-solun p-kanavatransistori koostuu polypiiohutkalvosta, joka on asemoitu n-kanavatransistorin päälle. Vain n-kanavatransistori muodostuu piialustaan.
Tämä tarkoittaa, ettei muistialueeseen synny parasiittisia tyristoreita. Ylijännitteiden johtuminen tulee näin mahdottomaksi, eikä säteily aiheuta bittivirheitä.
Virheettömyyden ansiosta Renesasin uudet SRAM-piirit sopivat erinomaisesti kaikkiin suurta luotettavuutta edellyttäviin sovelluksiin. Tällaisia ovat esimerkiksi mittauslaitteet, älykkään sähköverkon laitteet, liikennejärjestelmät ja teollisuuden laitteistot.
Uutuusmuistien käyttövirrat ovat lisäksi alle puolet aiemmasta (0,5 ampeeria 16 megabitin siruissa ja 1 ampeeri 32 megabitin siruissa). Myös toimintajännite on saatu pudotettua kahdesta voltista puoleentoista.