USB-muistitikuille ja SD-korteille on saatu jatkuvasti lisää kapasiteettia, kun flash-muistin valmistusprosessissa on siirrytty yhä pienempiin viivanleveyksiin. Nyt tämä tasomainen (planar) flash on kuitenkin tullut tiensä päähän. Kaikki valmistajat ovat siirtymässä pinottuihin 3D-piireihin.
Piilaaksossa järjestetyssä Flash Summit konferenssissa kävi käytännössä ilmi, etteivät yhtiöt enää kehitä planaarisia NAND-siruja tiheämmiksi. Tämän takia 128 gigabitin planaarinen NAND on oikeastaan viimeinen suuriin volyymeihin yltänyt vanha NAND-siru.
Tässä kuussa Samsung aikoo ryhtyä valmistamaan 256 gigabitin versiota kolmiulotteisesta V-NAND-piiristään. Siinä metallointeja on jo 48 kerroksessa, kun ensimmäisen polven V-NANDissa niitä oli 36. Uusi rakenne tuo SSD-levyille kaksinkertaisen suorituskyvyn ja puolta pienemmän tehonkulutuksen.
Samsungin uudessa muistissa yhteen soluun istutetaan kolme tallennusbittiä. Toshiba ehti jo viime viikolla ilmoittaa lähes identtisen 3D-piirin valmistuksen aloittamisesta.
Analyytikkojen mukaan yritykset – etunenässä Samsung – myivät ensimmäisen polven 3D-piirejä tappiolla. Nyt julkistetut toisen polven sirut ovat ensimmäiset, joissa valmistuskustannukset laskevat viimeisimpien planaaristen piirien alapuolelle.
Syy 3D-piireihin siirtymiseen on selvä. Kun prosessi kutistuu, bittejä alkaa planaarisessa sirussa vuotaa solusta, eikä valmistaja enää voi taata niiden luotettavuutta. 3D-siruissa valmistusprosessi voi olla selvästi vanhempi ja silti sen avulla saadaan pinoamisen myötä entistä tiheämpiä piirejä aikaiseksi. Vanhat prosessit ovat tietenkin kypsiä ja niissä valmistuksen saantokin on aivan eri luokkaa.
Analyytikoiden arvion mukaan 3D-piirit muodostavat valtaosan markkinoiden NAND-tuotannosta vuonna 2018.