Piipohjainen CMOS-piiritekniikka on tulossa tiensä päähän. IBM:n tutkijat ovat nyt tehneet läpimurron, jonka ansiosta hiilinanoputkiin perustuvat piirit voivat skaalautua aina 1,8 nanometriin asti. Uusi innovaatio voi myös pidentää kuuluisan Mooren lain elinikää.
IBM:n tutkijat onnistuivat kutistamaan transistorin liitäntöjä ilman, että hiilinnaoputkipiirin suorituskyky heikkenee. Tähän asti hiilinanoputkitransistorin liitännän kutistuessa sen resistanssi on estänyt suorituskyvyn nostamisen.
Lokakuun Science-lehdessä esitetty tutkimus viittaa siihen, että hiilinanoputkissa liitäntöjen resistanssiongelma olisi ratkaistu ainakin 1,8 nanometrin viivanleveyteen asti. Tämä tarkoittaa, että nykyelektroniikka saa neljä prosessisukupolven lisää elinaikaa.
Piitransistoreita on kutistettu pienempään jo vuosikymmenten ajan, mutta tämä skaalaaminen alkaa tulla fyysisten rajoitustensa aleelle. IBM on aiemmin jo osoittanut, että hiilinanoputket toimivat erinomaisesti kytkiminä alle 10 nanometrin kokoluokassa eli noin puolta pienemmän mittakaavassa kuin nykyiset edistyksellisimmät piisirut.
Aiemmin viime kesänä IBM esitteli jo 7 nanometrin prosessissa valmistetun hiilinanoputkiin perustuvan testisirun. Näin pieniä rakenteita valmistetaan EUV-valotuksella.
TILAA UUTISKIRJE JA VOITA DELL XPS 13 -KANNETTAVA
Tilaa Elektroniikkalehden uutiskirje ja osallistu samalla arvontaan, jossa voit voittaa Dellin huippulaadukkaan kannettavan XPS 13 -tietokoneen. Kampanja jatkuu Teknologia15-messujen päätöspäivään eli 8.10.2015 asti, jolloin voittaja on selvillä.
Tilaaminen onnistuu tästä.