Muistia ahdetaan jatkuvasti pienempään tilaan. Yleensä kehitys tapahtuu valmistusprosessia kutistamalla eli Mooren lain hengessä. IEDM-konferenssissa esiteltiin kuitenkin uusi SRAM-muistin tekniikka, jossa muistisolu sopii piillä yhden transistorin tilaan.
Innovaatio on monella tapaa mullistava. Tähän asti SRAM-solu on vaatinut kusi transistoria. Yksitransistorinen solu on viisi kertaa tätä pienempi. Ja kun tiedetään, että esimerkiksi järjestelmäpiireillä SRAM-muistin osuus on kasvussa ja nykyään yleensä yli 50 prosenttia piialasta, kyse on todella mullistavasta tekniikasta.
Yhden transistorin SRAM-solun on kehittänyt Zeno Semiconductor. Kyse on startupista, jonka on perustanut Piilaakson veteraani Zvi Or-Bach. Miehellä on puolijohdetekniikassa valtava salkku patentteja eri startupeista ja nyt Zenon uusi tekniikka on suojattu yli 50 patentilla.
Mistä sitten on kyse? Zenon bistabiili SRAM-solu koostuu yhdestä NMOS-transistorista. Sen sisällä on kaksi bipolaarista N-P-N-transistoria, joiden emitterit ovat NMOS-transistorin lähteen ja nielun alla. Näillä on yhteinen kollektori NMOS-transistorin N-kannassa. Tavallaan kyse on kolmen transistorin solusta, mutta koska rakenne vie vain yhden NMOS-transistorin tilan, puhe yksitransistorisesta rakenteesta on perusteltua.
Tärkeintä on tietenkin se, kuinka pieneen tilaan muisti saadaan uuden rakenteen ansiosta puristettua. IEDM:ssä esitellyt Zenon luvut ovat kovia. 28 nanometrin CMOS-prosessissa toteutettu perinteinen SRAM-solu vie tilaa 0,127 neliömikronia. Zenon solu vie tilaa 0,025 neliömikronia.
Jopa verrattuna Samsungin uusimpaan 10 nanometrin prosessissa piirrettyyn FinFET SRAM-soluun Zenon SRAM-solu on 37 prosenttia pienempi 28 viivanleveydellä.
Zeno aikoo perustaa bisneksensä IP:n lisensointiin kaikille halukkaille. Yhtiö katsoo myös mahdollisuuksia toteuttaa uudella rakenteellaan logiikkapiirejä.