Intel ja Micron esittelivät viime kesänä täysin uudenlaisen muistitekniikan. Xpoint-piirit lupaavat mullistaa lähes kaiken tallennuksen. Niiden saaminen tuotantolinjoille ja tuotteisiin on kuitenkin erittäin vaikea hanke. Piireissä käytetään esimerkiksi noin sataa täysin uutta materiaalia.
Kesällä Intel hehkutti Xpoint-muistin suorituskykyä. NAND-flashiin verrattuna suorituskyky on 1000-kertainen ja elinikä 1000-kertainen, ja tiheys on 10 kertaa suurempi kuin DRAM-muisteissa.
Intel ei kuitenkaan kertonut oikeastaan mitään muistien tekniikasta. Nyt Intelin ja Micronin yhteisyritys IM Flash Technologies on valottanut hieman lisää muistien tekniikasta. Markkinoille piirien ja tuotteiden pitäisi tulla puolentoista vuoden kuluessa eli joskus vuoden 2018 lopulla.
Sirujen valmistuksessa on isoja haasteita. Uusia materiaaleja on yli sata ja ne ovat erittäin alttiita epäpuhtauksille. Tämä tarkoittaa erittäin monimutkaisia ja haastavia valmistusaskelia.
Xpointia kehitetään kovaa vauhtia, koska sen suorituskyky on niin mullistava. JOs ajatellaan vaikkapa SSD-kiintolevyä, niin tällä hetkellä flash-piirit kykenevät 13400 IO-operaatioon sekunnissa ja niiden viive on 73 millisekuntia. Xpointin vastaavat lukemat ovat 95 000 IO-operaatiota sekunnissa ja 9 mikrosekunnin viive.
Ja perustelee Intel muistin kehitykseen uppoavaa rahaa myös kustannuksilla. Toisen polven Xpoint-piireillä Xeon-palvelimelle saadaan kuuden teratavun muisti puolta halvemmalla kuin DRAM-tekniikalla.