Uusimmat tasomaiset eli planaariset flash-muistipiirit ystyvät tallentamaan jo yhden gigabitin neliömillille. Micron esitteli ISSCC-konferenssissa tekniikkaa, jolla neliömillille saadaan 4,29 gigabittiä dataa. Kyse on uudenlaisesta 3D-muistitekniikasta.
3D-rakenne ei ole uutta flash-piireissä. Moni yritys kehittää piirejä ja Samsung on jo pidemmän aikaa toimittanutkin niitä markkinoille osana SSD-levyjään. Nämä piirit perustuvat kuitenkin ns. varauksen kiinnittämiseen eli charge trapped -tekniikkaan.
Micronin uusi muisti nojaa planaarisista flash-piireistä tuttuun kelluvaan hilaan. Yhteen muistisoluun saatiin tallennettua kolme bittiä. Micron esitteli ISSCC:ssä protopiiriä, jonka kapasiteetti oli peräti 768 gigabittiä. Piiri on jättimäinen NAND-siru, sillä sen fyysinen koko oli 179,2 neliömilliä.
Samaan aikaan korealainen Samsung demosi omaa VNAND-piiriään, jonka tallennustiheys yltää 2,6 gigabittiin neliömillillä. Tässä vertailussa Micronin lukema on tietysti aivan omaa luokkaansa.
Tämä ei kuitenkaan tarkoita, että Micronin uutuusmuisti kaappaisi flash-piirien markkinat. Micron ei itse asiassa ole edes päättänyt, ryhtyykö se ylipäätään valmistamaan siruja laajassa mittakaavassa.
Kelluvan hilan rakenne on 3D-muodossa erittäin vaikea valmistaa. Tämä on myös syy, miksi kaikki nykyiset 3D-piirit pohjaavat charge trapped -tekniikkaan.