Samsung on ryhtynyt valmistamaan volyymeissä DRAM-muistia, joka on maailman nopein. Uudessa neljän gigatavun DRAM-moduulissa hyödynnetään tuoretta HBM2-väylätekniikkaa.
Muistien väylätekniikoita hallinnoiva JEDEC julkisti vastikään HBM-väylän (High Bandwidth Memory) toisen polven määritykset, jotka tuovat monia parannuksia ensimmäisen polven HBM-liitäntään. Molemmat liitännät tukevat kahden, neljän tai 8 DRAM-piirin istuttamista logiikkapiirin päälle, mutta HBM2 mahdollistaa aina 8 gigabitin pinojen kokoamisen.
Suurin nopeuslisäys tulee siitä, että HBM2-väylässä yhden datalinjan nopeus kasvaa 1,6 tai jopa kahteen gigabittiin liitinnastaa kohti. Tämä tarkoittaa, että Samsungin uuden muistin kaistanleveys on 256 gigatavua sekunnissa. Ensimmäisen polven HMB-muisteihin verrattuna kaistanleveys on kaksinkertainen.
JEDECin mukaan HBM2-määritykset tlevat hyödyttämään erityisesti grafiikkakortteja ja tehotyöasemia. Uudella liitännällä DRAM-muistin kaistanleveys voidaan kasvattaa jopa 512 gigatavuun tai yhteen teratavuun sekunnissa.
HBM-muisteissa data siirtyy piirien välillä TSV-läpivienteinä. Yhdellä 8 gigabitin sirulla on yli 5000 läpivientiä. Esimerkiksi grafiikkakorttien GDDR5-piireiltä dataa voidaan lukea 36 gigatavun sekuntinopeudella. Tähän verrattuna uusi HBM2-tekniikka mahdollistaa peräti 36-kertaisen kaistanleveyden.