Samsung on ryhtynyt valmistamaan volyymeissä uutta 256 gigatavun flash-muistiaan älypuhelimiin. Piirin avulla mobiililaitteen suorituskyky kasvaa tasolla, johon aiemmin on totuttu vain PC-mikroissa.
Uutuusmuisti perustuu USF 2.0 -standardiin (Universal Flash Storage). Tekniikka on hyödynnetty laajasti esimerkiksi ammattitason digikmaroissa, joissa pitää tallentaa raw-kuvainformaatiota erittäin nopeasti.
Samsungin mukaan uusi UFS-muisti on lähes kaksi kertaa niin nopea kuin SATA-väyläinen SSD-levy tietokoneissa. Piirit perustuvat sen omaan VNAND-flash-sruun sekä erityisesti kännyköitä varten kehitettyyn nopeaan ohjaimeen.
UFS-muisti lukee dataa 45000 IOPS-nopeudella ((input output operations per second). Datankirjoitus yltää lukemaan 40000 IOPS. Tämä on yli kaksi kertaa nopeammin kuin edellisen polven UFS-muisteissa.
Jos pitää lukea suuria määriä dataa peräkkäin Samsungin muisti voi ottaa käyttöön kaksi datalinjaa. Tällöin dataa luetaan 850 megatavua sekunnissa, mikä on lähes kaksi kertaa PC-koneiden SATA-väylää nopeammin. Nopeimpiin microSD-kortteihin verrattuna USF-muisti kirjoittaa dataa noin kolminkertaisella nopeudella.
Käytännössä 256 gigatavun UFS-muisti mahdollistaa sen, että älypuhelimesta voidaan heijastaa 4K-videota kahdelle eri ruudulle samaan aikaan kun muistiin ladataan muuta videota. Suurikapasiteettiselle muistille sopii myö esimerkiksi 47 fullHD-elokuvaa, mikäli sellaiseen olisi tarvetta.