Flash-muisteja ei juuri enää skaalata yhä pienempiin geometrioihin, vaan lisää kapasiteettia tuodaan ennen kaikkea lisäämällä piiriin uusia rakenteita pystysuorassa. Toshiba sanoo nyt aloittaneensa ensimmäisten 64 metallointikerroksen 3D-flashien näytepiirien toimituksen asiakkailleen.
3D-flasheja valmistavat Samsung, Toshiba ja amerikkalainen Micron, joka on tullut kisaan mukaan viimeisimpänä. Samsung on toimituksissaan ja volyymeissään selvästi pisimmällä omilla VNAND-piireillään.
Toshiban edellinen 3D-flashpiiri perustui 48 metallointikerrokseen. Uusi versio on markkinoiden ensimmäinen näytetoimituksiin ehtinyt 3D-NAND-piiri, jossa kerroksia on 64.
Toshiban mukaan uusi rakenne mahdollistaa 256 gigabitin piirien valmistamisen. Yhteen soluun Toshiba ahtaa 3 bittiä eli kyse on TLC-arkkitehtuurista (triple-level cell). Aiempaan verrattuna kapasiteetti kasvaa 40 prosenttia suuremmaksi.
Toshiban mukaan uutta muistia tullaan käyttämään SSD-levyissä, älypuhelimissa, tableteissa ja muistitikuissa. Yhtiön mukaan seuraava iso askel on 512 gigabitin piirin toteutus, mikä myös onnistuu 64 kerroksen 3D-rakenteella.
Toshiba tulee valmistamaan uudet BiCS-muistinsa Yokkaichissa sijaitsevassa Fab2-tehtaassa, joka otettiin virallisesti käyttöön vasta heinäkuun alussa. 64 kerroksen piirien volyymituotannon yhtiö arvioi alkavan kesään 2017 mennessä.