Toshiba ilmoitti vastikään siirtyvänsä pian NAND-piirien rakenteessa 64 metallointikerrokseen. Tämä kasvattaa 3D-flashien kapasiteettia merkittävästi, vaikka pienempään prosessiin skaalaaminenkaan ei enää onnistuisikaan. NAND-muistien kehityksen kärjessä kulkee kuitenkin Samsung, ja vielä selvällä marginaalilla.
Samsung kertoi tulosjulkistuksensa yhteydessä saavansa 64 metallointikerroksen VNAND-piirinsä volyymituotantoon noin puoli vuotta ennen Toshibaa. Näin Samsungin seuraavan polven SSD-levyt saavat hyvän etumatkan Toshiban SSD-kumppanin eli Western Digitalin levyihin verrattuna.
Samsungin roadmapissa neljännen polven VNAND-piirien massatuotanto alkaa vielä kuluvan vuoden loppuun mennessä. Toshiban kaavailuissa sama tapahtuu kesään 2017 mennessä.
Samsungin mukaan muutokset tuotannossa ovat vaikuttamassa siihen, että tämän vuoden lopulla piireistä tulee jopa pulaa. Valmistajat ovat siirtymässä 3D-piirien tuotantoon, mutta vielä sen kapasiteetti ei riitä vastaamaan jatkuvasti kasvavaan kysyntään, joka tulee sekä älypuhelimien että SSD-levyjen suunnasta.
Samsungin tämän hetken tihein VNAND-piiri on 256-gigabittinen. Yhtiö ei ole asiaa vahvistanut, mutta oletettavasti tuleva neljännen polven siru on kapasiteetiltaan jo 512 gigabitin piiri.
Ei kehitys tietenkään tähän lopu. Toshiba on jo kertonut suunnittelevansa 128 metallointikerroksen 3D-piiriä. Se voi tapahtua myös pinoamalla kaksi 64 kerroksen sirua päällekkäin.
Kuluttajan kannalta tämä tietää hyvää. Flash-muisteista saadaan yhä tiheämpiä ja ennen pitkää myös merkittävästi edullisempia.