NRAM on Nanteron kehittämä haihtumaton muistitekniikka, joka perustuu hiilinanoputkiin muistisoluissa. Fujitsu Microelectronics on lisensoinut Nanteron tekniikan ja aikoo tuoda NRAMin markkinoille vuoden 2018 aikana. Muisti on tuhat kertaa nykyisiä flashmuisteja nopeampi.
NRAM-hiilinanoputket ovat halkaisijaltaan kahden nanometrin kokoisia. Jokaisessa muistisolussa on satoja nanoputkia ja sähkövirran vaikutuksesta putket joko vetävät toisiaan puoleensa tai hylkivät toisiaan.
Tätä vaihtelua voidaan käyttää bittien eli ykkösten tai nollien ilmaisemiseen. NRAMin iso etu on se, että muistiin tallentaminen ja sieltä lukeminen on erittäin nopeaa, käytännössä DRAM-tasoista. Silti tallennettu bitti säilyy muistissa ilman sähkövirtaa kuten NAND-flasheissakin.
Fujitsu ja Nantero kehuvat, että NRAM-muistiin kirjoitetaan dataa tuhat kertaa flashia nopeammin. Kirjoitussyklejä on NAND-piireihin verrattuna useita tuhansia kertoja enemmän, joten NRAM on erittäin pitkäikäinen muisti.
Fujitsu aikoo valmistaa NRAM-muisteja 55 nanometrin prosessissa. Kaupalliset muistit tulevat tarjolle vuoden 2018 loppuun mennessä.
NRAM-muistit voisivat itse asiassa olla huomattavasti ilmoitettuja arvoja nopeampia. Hiilinanoputki mahdollistaa kytkemisen pikosekunneissa, mutta DRAM-liitäntä rajoittaa nopeuden yli 5 nanosekuntiin.