Flashin pienempään skaalautuminen huolestuttaa monia, joten sen korvaajaksi etsitään jatkuvasti uusia tekniikoita. Hiilinanoputkiin pohjaava NRAM on yksi lupaavista tekniikoista, mutta uusin ehdokas on israelilaisen Weebit Nanon piioksidiin perustuva resistiivinen RAM-muisti.
Piioksidi on yksi yleisimpiä piin esiintymismuotoja maapallolla. Esimerkiksi hiekka koostuu pääosin piioksidista. Materiaalista ei siis ole pulaa, eikä sen hinta muodostu ongelmaksi. Piioksidi on jo nyt halvin ja yleisesti saatavin puolijohdealan valmistusmateriaali.
Weebit Nano kehittää teksasilaisen Ricen yliopiston professorin James Tourin tutkimuksiin perustuvaa haihtumatonta muistia, joka perustuu piioksidiin. Yhtiön mukaan NAND-flashia tiheämpi muisti kaupallistuu seuraavaan vuoden aikana.
SiO2-muistin kanssa yhteistyötä tekee ranskalainen tutkimuslaitos Leti. Weebitin hallituksen puheenjohtaja on entinen Intel-johtaja David Perlmutter. Perlmutter ehti työskennellä Intelillä 34 vuotta ennen lähtöään vuonna 2013.
SiOx-muistin suorituskykylukemat ovat vaikuttavia, mikäli ne toteutuvat. Muistiin kirjoitus ja datan poispyyhintä onnistuvat alle 50 nanosekunnissa. Tämä on noin tuhat kertaa nykyisiä flash-muisteja nopeammin.
Yhteen SiO2soluun saadaan tallennettua 9 bittiä tehonkulutuksella, joka on selvästi flashia pienempi. Ja valmistus onnistuu standardilla CMOS-linjalla.