Electronica – Electronicassakaan ei aina nähdä maailman ensi-iltoja puolijohdetekniikassa, mutta nyt nähtiin. Ei ole kuin muutama kuukausi siitä, kun piilaaksolainen Everspin esitteli maailman ensimmäisen 256 megabitin MRAM-piirin. Electronicassa yhtiö esittelee Globalfoundriesin 40 nanometrin prosessissa valmistettu 300-millistä kiekkoa, jolle on ladottu sadoittain uusia gigabitin MRAM-siruja. Singaporessa valmistettu kiekko avaa MRAM-tekniikalle jälleen uusia sovellusalueita.
MRAMista on pitkään puhuttu tulevaisuuden universaalina muistitekniikkana. Näitä puheita Everspinin pääjohtaja Phil LoPresti haluaa vähän suitsia. - Ei MRAMista tulee ratkaisua kaikkiin ongelmiin.
Everspinin gigabitin piiri nojaa yhtiön pMTJ-tekniikkaan (perpendicular magnetic tunnel junction) eli pystysuoraan magneettiseen tunneliitokseen. MRAM-piirien yleiseen tapaan bitin arvo muuttuu muuttamalla magneettikentän suuntaa pystyyn tai vaakaan.
Rakenteesta seuraa monia etuja: MRAM on jopa satatuhatta kertaa flashia nopeampi, erittäin luotettava ja yhtä tiheä kuin DRAM. Solukoosta LoPresti ei halua enempää kertoa, se säilyy salaisuutena.
Gigabitin MRAMin ”sweet spotiksi” LoPresti näkee tällä hetkellä sulautetun flashin korvaamisen erilaisissa järjestelmäpiireissä.
- eFlash ei skaalaudu 40 nanometriä pienemmäksi. Meidän uusi gigabitin piirimme istui helposti Globalfoundriesin 28 nanometrin prosessiin ja jatkossa se skaalautuu samalla tavoin sitäkin tiheämpään.
Osana yhteistyösopimusta Globalfoundries on lisensoinut Everspinin tekniikan käyttöönsä, joten sen sopimusvalmistusasiakkaat voivat hyödyntää tekniikkaa. Everspinille tämä tietää jatkossa lisenssitulojen lisäksi rojalteja.
Sulautetun flashin skaalautumisongelma tarkoittaa sitä, että niin TSMC kuin Samsung etsivät kuumeisesti omaa MRAM-tekniikkaansa. Everspinin tuella Globalfoundriesilla on tässä kisassa aikamoinen etumatka.