ObiWANin kehittämä älyvalaistusjärjestelmä käyttää mobiili-IoT-yhteyttä etävalvontaan ja -ohjaukseen. Nordic Semiconductorin nRF9160-moduuli muuttaa tavalliset LED-valaisimet IoT-ominaisuuksilla varustetuiksi älylaitteiksi.
Coloradon yliopiston Boulderin yksikön tutkijat ovat tunnistaneet mekanismin, joka aiheuttaa akun kulumisen. Tiedon avulla voidaan akkujen kehiaa kehittäviä auttaa suunnittelemaan pidempään kestäviä akkuja.
Cybernewsin tutkimusryhmä on analysoinut 50 suosituinta Android-sovellusta ja paljastanut hälyttäviä tietoja käyttäjien yksityisyyden vaarantamisesta. Sovellukset vaativat keskimäärin 11 niin sanottua "vaarallista" lupaa, jotka voivat uhata käyttäjien yksityisyyttä ja laitteen ydintoimintoja.
Amazonin pilvipalvelu AWS ilmoittaa, että sen asiakkaat pääsevät nyt hyötymään Nvidian tämän hetken tehokkaimmista GPU-prosessoreista. Käytännössä tämä tarkoittaa Nvidia H200 Tensor -ytimiä.
Telia kertoo, että sen 3G-verkon sulkeminen kaartuu loppusuoralle syyskuun puolivälissä, kun vanhentunut verkko sammutetaan Turussa ja sen ympäristökunnissa. 3G-verkosta vapautuvia taajuuksia otetaan käyttöön uudemmissa 4G- ja 5G-verkoissa. Marraskuun alkuun mennessä 3G on sammutettu kaikkialla Telian verkossa.
Nokia kertoo rikkoneensa kaksi datansiirron maailmanennätystä optisissa verkoissa kreikkalaisen Deutsche Telecomin omistaman OTE Groupin kanssa. Ennätyksissä käytettiin yhtiön kuudennen sukupolven fotoniikkaprosessoria.
Euroopan Komissio on käynnistänyt prosessin, jonka myötä unionin alueelle rakennetaan tekoälyyn ja erityisesti generatiiviseen tekoälyyn keskittyviä supertietokoneita. Näitä laitoksia kutsutaan EU:n tekoälytehtaiksi. Yksi tehdas halutaan Kajaaniin.
Infineon on nimetty yhdeksi kolmesta saksalaisen Deutscher Zukunftspreis 2024 -innovaatiopalkinnon ehdokkaista piikarbidipiirin kehittämisestä. Infineonin tutkijat ovat yhdessä Chemnitzin teknillisen yliopiston kanssa onnistuneet kehittämään maailman ensimmäisen piikarbidi-MOSFETin, jossa on pystykanava (ns. trench MOSFET) ja innovatiivinen kupariliitos 3300 voltin jänniteluokassa.
Tutkijat Stanfordin yliopiston akkutekniikan SLAC-tutkimuskeskuksessa ovat tehneet yllättävän löydön, joka voi mullistaa litiumioniakkujen valmistuksen. Uuden tutkimuksen mukaan akkujen nopea lataaminen suurilla virroilla juuri ennen niiden tehtaalta lähtöä voi nopeuttaa latausprosessia merkittävästi ja samalla pidentää niiden käyttöikää jopa puolella.
Englantilainen modulaaristen signaalinkytkentä- ja simulointiratkaisujen toimittaja Pickering Interfaces on esitellyt uuden sarjan PXI- ja PXIe-ohjelmoitavia vastusmoduuleja. Uudet moduulit ovat Pickeringin ensimmäiset, kestävät jopa 2 A ja 200 V.
GaN eli galliumnitridi on vallannut monet tehoelektroniikan markkinat erityisesti pienemmissä jännitteissä ja tehoissa. Infineon alleviivaa nyt tekniikan menestyksen ilmoittamalla, että se on onnistunut kehittämään maailman ensimmäisen 300 millimetrin GaN-kiekkoteknologian.
Keraamiset monikerroskondensaattorit joutuvat tosi koville autojen elektroniikkajärjestelmissä. Vaurioiden ehkäisemiseksi niissä on aiemmin käytetty hopeaepoksiin perustuvia pehmeitä päätyliitoksia, mutta ongelmana on silloin ollut hopean vaeltaminen. SEMCOn eli Samsung Electro-Mechanicsin kehittämä kupariepoksiin perustuva ratkaisu eliminoi sekä halkeamien/oikosulkujen syntymisen että metallin kulkeutumisen.
Milloin taantuma loppuu? Milloin markkinat piristyvät? ETN puhui Mouser Electronicsin EMEA-alueen markkinoinnin johtajan, Graham Maggsin kanssa. Maggsin mietteet löytyvät pian ilmestyvästä ETNdigi-erikoislehdestä.
Tule tapaamaan meitä tulevissa tapahtumissamme. R&S-seminaareihin saat kutsukirjeet ja uutiskirjeet suoraan sähköpostiisi, kun rekisteröidyt sivuillamme.
R&S-seminaari ‘Tools for Signal Integrity using modern oscilloscopes’ Vantaa 20.11.2024 / Ilmoittaudu mukaan täällä Oulu 21.11.2024 / Ilmoittaudu mukaan täällä
Tapahtuma: Nordic Test Forum Helsinki 26. - 27.11.2024, Helsinki Lisätietojatäällä
Infineon on nimetty yhdeksi kolmesta saksalaisen Deutscher Zukunftspreis 2024 -innovaatiopalkinnon ehdokkaista piikarbidipiirin kehittämisestä. Infineonin tutkijat ovat yhdessä Chemnitzin teknillisen yliopiston kanssa onnistuneet kehittämään maailman ensimmäisen piikarbidi-MOSFETin, jossa on pystykanava (ns. trench MOSFET) ja innovatiivinen kupariliitos 3300 voltin jänniteluokassa.
Keraamiset monikerroskondensaattorit joutuvat tosi koville autojen elektroniikkajärjestelmissä. Vaurioiden ehkäisemiseksi niissä on aiemmin käytetty hopeaepoksiin perustuvia pehmeitä päätyliitoksia, mutta ongelmana on silloin ollut hopean vaeltaminen. SEMCOn eli Samsung Electro-Mechanicsin kehittämä kupariepoksiin perustuva ratkaisu eliminoi sekä halkeamien/oikosulkujen syntymisen että metallin kulkeutumisen.
