ADVERTISE SUBSCRIBE TECHNICAL ARTICLES EVENTS ETNdigi ABOUT USCONTACT
Oct 29/9 30/9 # Rohde supersquare
 
ECF23 videos
  • Hans Andersson, Acal BFi
ECF22 videos
  • Antti Tolvanen, Etteplan
  • Timo Poikonen, congatec
  • Kimmo Järvinen, Xiphera
  • Sigurd Hellesvik, Nordic Semiconductor
  • Hans Andersson, Acal BFi
  • Andrea J. Beuter, Real-Time Systems
  • Ronald Singh, Digi International
  • Pertti Jalasvirta, CyberWatch Finland
ECF19 videos
  • Julius Kaluzevicius, Rutronik.com
  • Carsten Kindler, Altium
  • Tino Pyssysalo, Qt Company
  • Timo Poikonen, congatec
  • Wolfgang Meier, Data-Modul
  • Ronald Singh, Digi International
  • Bobby Vale, Advantech
  • Antti Tolvanen, Etteplan
  • Zach Shelby, Arm VP of Developers
ECF18 videos
  • Jaakko Ala-Paavola, Etteplan CTO
  • Heikki Ailisto, VTT
  • Lauri Koskinen, Minima Processor CTO
  • Tim Jensen, Avnet Integrated
  • Antti Löytynoja, Mathworks
  • Ilmari Veijola, Siemens

ETNtv

Watch ECF videos

logotypen

 2022  # square  (4)
TMSNet  advertisement
ETNdigi
May # Farnell sajt skyskrapa
A la carte
AUTOMATION DEVICES EMBEDDED NETWORKS TEST&MEASUREMENT SOFTWARE POWER BUSINESS NEW PRODUCTS
ADVERTISE SUBSCRIBE TECHNICAL ARTICLES EVENTS ETNdigi ABOUT US CONTACT
Tweet

TECHNICAL ARTICLES

Lisää tehoa muunnoksiin

Tietoja
Kirjoittanut Veijo Ojanperä
Julkaistu: 18.05.2021
  • Devices
  • Power

Tehomuunnoksissa hyötysuhteella on suuri merkitys tänä päivänä, sillä jokaisen hukatun watin katsotaan osaltaan lisäävän ilmaston lämpenemistä ja loppukäyttäjän käyttökustannuksia. Tehomuuntimien perinteinen piipohjaisiin puolijohteisiin perustuva teknologia on saavuttanut suorituskyvyn osalta vakiintuneen tasonsa. Uudet laajan kaistaeron teknologiat, jotka perustuvat piikarbidiin ja galliumnitridiin, ovat osoittautumassa hyötysuhteeltaan paremmiksi.

Energian käyttö ja sen muuntaminen energialähteestä lopulliseen käyttöön soveltuvaksi ovat olleet kehitystyön kohteina niistä ajoista lähtien, jolloin hevosvoimalla ymmärrettiin nimensä mukaista voimaa ja auran muotoilulla oli olennainen merkitys siinä, kuinka kauan viljelysmaan kyntäminen kesti. Nyttemmin ajatellaan enemmän sähköenergiaa ja tehon muuntamista generaattorin lähdön jännitteestä käyttösovelluksen lopulliseksi jännitteeksi oli kyse sitten proses-soriin tarkoitettua 0,6 V:n tasasähköä, teollisuuden moottorin-ohjaukseen tarkoitettua 24 V:n tasasähköstä 500 V:n vaihtosähköön olevaa sähköä tai sähköauton lataamiseen tarkoitettua 400 V:n tasasähköä.

Muunnosprosessissa hyödynnetään poikkeuksetta tehopuoli-johteita, joista piipohjaiset kanavatransistorit eli MOSFETit ja IGBT:t eli eristehilabipolaari-transistorit ovat olleet suosituimpia vuosikymmenien ajan. Näissä kytkimissä häviöt ovat olleet merkittävin järjestelmän hyötysuhdetta alentava tekijä, ja se korostuu, koska nykyisin tehohäviöiden vähentämisestä on tullut keskeinen asia käyttökustannusten ja ympäristötaakan pienentämisessä.

Viime vuosina piille on tullut vaihtoehtoisia toteutettavissa olevia materiaaleja kuten piikarbidi SiC ja galliumnitridi GaN, joissa on tehomuunnoksen hyötysuhdetta parantavia ominaisuuksia. Nämä laajan kaistaeron (wide bandgap) piirit eivät kuitenkaan ole sellaisenaan suoraan käyttökelpoisia piipiirien tilalla, vaan sovelluksissa käytettävät piirit on sovitettava haluttuihin suunnitteluihin sopiviksi, etenkin jos halutaan saada käyttöön kaikki täyden suorituskyvyn edut. Kuvassa 1 kuvataan materiaalien välisiä merkittävimpiä eroavuuksia.

JOHTUMISHÄVIÖT

IGBT:llä on pienin kollektorista emitteriin oleva johtavuustilan kyllästymisjännite, joka yhdessä kollektorivirran kanssa määrittää johtumisesta aiheutuvat häviöt. Pii-MOSFETeillä on johtavuustilan resistanssi, joten tehohäviö on
I.R(ON), mikä voi nousta kohtuuttomaksi suurilla virta-arvoilla. Kuitenkin pienillä jännitteillä ja pienillä keskitehoilla alhaisen johtavuustilan resistanssin R(ON) omaavien pii-MOSFETtien johtumishäviöt voivat olla pienemmät kuin IGBT:llä.

SiC- ja GaN-piirien kriittiset läpilyöntijännitteet ovat paljon suuremmat kuin piipiireillä, jolloin drift- eli ajautumiskerros voi olla ohuempi ja seostuspitoisuus sakeampi. Tästä johtuen sirupinta-alan johtavuustilan resistanssi ja nimellisjännite pienenevät ja tuloksena on pienemmät johtumishäviöt. Lisäksi SiC:n lämpöjohtavuus on yli kolme kertaa parempi kuin piillä, joten pinta-alaltaan pienempää sirua voidaan käyttää saman lämpötilan nousun aikaansaamiseksi. Joka tapauksessa SiC:lla ja GaN:llä ovat mahdollisia paljon piitä suuremmat toimintalämpötilat, mikä parantaa niiden kuormituksen kestävyyttä.

KYTKENTÄHÄVIÖT

Suuri muuntimen kytkentätaajuus mahdollistaa, että muut tarvittavat komponentit kuten magneetit voivat olla pienempiä ja saadaan säästöjä koon, painon ja kustannusten osalta. Kaikkien piirien kytkentähäviöt kasvavat kuitenkin suoraan taajuuden mukaan. IGBT-piirejä käytetään harvoin yli 20 kHz:n taajuuksilla, koska tehohäviöitä syntyy ’häntävirroista’, joita tarvitaan kytkentäsuojapiireissä ja suurten piirikapasitanssien varaamisessa ja purkamisessa. Pii-MOSFETit voivat kytkeytyä satojen kilohertsien taajuuksilla, mutta lähtökapasitanssiin kulkevan virran energiahäviö EOSS muodostuu rajoittavaksi tekijäksi, kun taajuus kasvaa. SiC:lla ja GaN:llä on kuitenkin paljon piitä suurempi elektronien kyllästymisnopeus ja paljon pienemmät kapasitanssit, joten ne voivat kytkeytyä paljon nopeammin pienemmillä häviöillä.

Merkitystä on myös sillä, miten piirit käyttäytyvät ’kolmannessa kvadrantissa’ johtavuuskanavan ollessa estosuuntainen, kuten tapahtuu esimerkiksi moottorikäyttöjen nopeassa kytkennässä (hard switching) ja invertterin kommutoidessa. Koska IGBT:t eivät johda estosuunnassa, tarvitaan vastakkaissuuntainen diodi, jonka tulee olla tyypiltään nopeasti palautuva pienillä jännitemuutoksilla.

Vaikka pii- ja SiC-MOSFETtien sisäiset diodit ovat luontaisesti nopeita, niiden kanavat voivat johtaa myös estosuuntaisesti vähin häviöin ja ilman estosuuntaista palautumisilmiötä, kun niiden hilat kytketään johtamaan. Kuitenkin jokainen ’kuollut aika’, jolloin kanava on estosuuntainen, mutta hila ei ole vielä kytketty johtotilaan, aiheuttaa sen, että sisäinen diodi ei johda tuona aikana. Seurauksena on merkittävä tehohäviö suhteellisen suuren päästöjännitteen muutoksen vuoksi.

GaN-kytkimet koostuvat suuren elektroniliikkuvuuden omaavista HEMT-transistoreista eikä niissä ole sisäisiä diodeja. Vaikka niiden kanavat voivat MOSFETtien tavoin johtaa estosuunnassa, myös niissä tapahtuu sisäisen diodin aiheuttama ilmiö kanavassa jokaisen kuolleen ajan aikana, jolloin jännitteen muutos on suunnilleen samansuuruinen hilan noin 2V:n kynnysjännitteen kanssa. Tämän seurauksena voi olla jälleen häviöitä, ellei kanava ole aktiivisesti kytketty johtotilaan.

KÄYTÄNNÖN TOTEUTUKSIA

Kytkentäteknologian valinnassa olennainen asia on toimintajännite. Suuritehoiselle pii-MOSFETille se on suurimmillaan noin 950 V, GaN-HEMT:ille noin 600 V ja SiC-MOSFETille noin 1700 V. IGBT:llä on yhä vankka asema erittäin suurilla jännitteillä, vaikkakin MOSFETeistä voidaan kokoonpanna joitakin topologioita, joilla saadaan pienennettyä jänniterasitusta. Kun ylijännitteen vaara on olemassa, IGBTeitä ja MOSFETtejä suojaa vyörypurkaustila erilaisilla piireistä riippuvaisilla jännitearvoilla. GaN HEMT:llä ei ole suojaavaa vyörypurkaustilaa, joten ne rikkoutuvat vakavin seurauksin ylijänniterasituksessa. Tästä syystä GaN-piirien valmistajat haluavat varmistaa, että datalehdessä annetun jännitearvon ja absoluuttisen suurimman jännitteen välinen marginaali on riittävän iso.

Paras mahdollinen hilaohjaus-järjestely on hyvin erilainen eri piiriteknologioiden välillä. IGBT:llä on eristetyt hilat ja tarvitaan suuri kokonaisvaraus riittävän ohjaustehon aikaansaamiseksi. Tämä skaalautuu suoraan hilajännitteen ja taajuuden vaihteluihin: suurimmat piirit kuluttavat useita watteja realistisilla kytkentätaajuuksilla. Pii-MOSFETtien hilavaraukset ja ohjaustehon vaatimukset ovat paljon pienempiä ja IGBT:een tavoin niiden hilan kynnysjännite on 10 V:n luokkaa enimmillään. Absoluuttinen suurin hilajännite on tyypillisesti +/- 25 V. Hila ohjataan usein negatiiviseen jännitteeseen aina noin -12 volttiin saakka piirin kytkemiseksi pois päältä. Tämä on tarkoitettu kompensoimaan Millerin kapasitanssin ilmiötä ja mitä tahansa lähde- tai emitteriliitännässä vaikuttavaa yhteisinduktanssia, joilla kummallakin on taipumusta tuottaa häiriöitä päältä pois – eli OFF-kytkentätilassa hilan ohjausta häiritsemään.

SiC:lla ja erityisesti GaN:llä on hyvin alhainen kokonaishilavaraus ja merkityksettömät ohjaustehovaatimukset. Täyden suoritustehon saavuttamiseksi SiC-hiloja täytyy ohjata kuitenkin lähes 20 V:lla, mikä lähentelee tyypillistä absoluuttista maksimiarvoa +25 V. Suojaavia rajoitusdiodeja käytetään tällöin usein ehkäisemään jänniterasituksia. GaN HEMT -transistorit ovat itse asiassa virtaohjattuja jännitteen ollessa noin 3 V tuottaen muutaman milliampeerin virran, joka tarvitaan piirin päälle kytkemiseksi. Jännite vaihtelee voimakkaasti lämpötilan ja nieluvirran mukaisesti eikä sitä siten ole spesifioitu normaaliksi kynnysjännitteeksi VTH. Suurin hilavirta on siksi määritelty - mitattuna kymmenissä milliampeereissa - vaikkakin ampeerien pulssivirrat ovat sallittuja riippuen pulssinleveydestä ja toistonopeudesta.

Sekä SiC että GaN saattavat kärsiä ’haamukytkeytymisistä’, joihin ovat syynä luontaiset erittäin suuret di/dt- ja dV/dt-tasot. Tämän takia muutaman voltin negatiivista hilaohjausta käytetään usein piirin pois päältä kytkemiseen. Erityisesti GaN-piirien yhteydessä on otettava huomioon riskit, joita saattaa aiheutua niiden matalasta tehollisesta kynnysjännitteestä ja nopeimmasta dV/dt-tasosta.

Piirivalmistajat varustavat kuitenkin yleensä SiC- ja GaN-piirinsä lähteeseen liitettävillä ’Kelvin’-liitännöillä, jolloin hilaohjaussilmukka saadaan tehokkaasti eristetyksi päävirtareitistä ja mainittu riski pienenee tai poistuu kokonaan. GaN HEMT -hilojen ohjaaminen negatiiviseksi voi myös aiheuttaa ongelmia, sillä jännite suoraan lisää piirin sisäisten diodien tehon pudotusta, jos kanava johtaa estosuunnassa kuolleen ajan aikana, ja tällöin häviöt lisääntyvät.

SiC- ja GaN-piirien hilaohjaukset sisältävät tyypillisesti ylimääräisiä sarjavastuksia, jotka harkitusti hidastavat kytkennän reunanopeuksia kompromissina EMI-häiriöiden ja suorituskyvyn välillä. Piirit, joissa käytetään erillisiä vastuksia ON- ja OFF-kytkennän ohjausta varten, ovat yleisesti käytettyjä ja toteutettu ohjausdiodeilla.

PIIRIEN SOVELLUKSIA

SiC on nyt yleisesti käytössä tehosovelluksissa 650-1700 V:n nimellisarvoilla sovitettuna yleisiin yksi- ja kolmivaiheisiin teollisiin ja invertterisovelluksiin. Piirit ovat kestäviksi todettuja ja uusimpiin ohjainpiireihin ja tekniikoihin soveltuvina ovat lisäämässä suosiotaan laajasti. SiC-piirejä voidaan sovittaa myös joihinkin jo olemassa oleviin pii-MOSFETtejä käyttäviin sovelluksiin tai jopa IGBT-sovelluksiin tekemällä joitakin modifiointeja ohjaustekniikkaan ja kytkentäsuoja-piireihin. Kokonaan uusissa suunnitteluissa voidaan hyödyntää suurempia kytkentätaajuuksia ja käyttää asianmukaisia layouteja, jolloin etua saadaan kun voidaan käyttää pienempiä magneettisia komponentteja.

GaN-piireille avautuu käyttömahdollisuuksia teholähteissä, joissa GaN-piirit tarjoavat parhaimman hyötysuhteen pienen jännitteen sovelluksissa. Tällaisia ovat esimerkiksi aurinkopaneelien invertterit, tietoliikenteen DC-DC-muuntimet, luokan D audiovahvistimet ja yksivaiheiset AC-teholähteet.

Ohjaustasojen herkkyyteen liittyvät huolet on ratkaistu kaskadikytkennöillä, jolloin hilaominaisuudet ovat samanlaiset kuin perinteisillä, piipohjaisilla MOSFETeillä.

Alun epäilyjen jälkeen piirien luotettavuus on parantunut, sillä teknologia on nyt osoittautunut valmiiksi ja vioittumismekanismit on saatu selvitettyä ymmärrettäviksi. Nyt suunniteltavat piirit ovat varmatoimisia ja ottavat huomioon absoluuttiset suurimmat nimellisarvot.

GaN:lle asetettavat nimellisjännitteet kasvavat joka tapauksessa tulevaisuudessa, joten enenevässä määrin ne tulevat kilpailemaan SiC- ja pii-MOSFETtien kanssa 900-1000 V:n alueella, mikä on tärkein sovellusalue teollisuuden DC-jännitetasoilla ja sähköautojen suuremmilla akkujännitteillä.

Piikarbidi- ja galliumnnitridi ovat käyttökelpoisia tyypillisen teho-muuntimen kaikilla piiriasteilla alkaen toteeminapaisen tasasuuntaajan PFC-asteesta invertterin pääasteen kautta synkronoituihin lähtötasa-suuntaajiin.

LUVASSA ISOJA HYÖTYJÄ

SiC ja GaN ovat nykyisin valtavirtaa ja yleistyvät erilaisissa erinomaista hyötysuhdetta edellyttävissä sovelluksissa. Niiden erityislaatuisten ominaisuuksien hyötyjen esiin saaminen vaatii jonkin verran paneutumista, mutta pienemmät häviöt, koot, pienempi paino ja edullisempi hinta painavat vaakakupissa enemmän. Myös ympäristövaikutukset jäävät pienemmiksi.

 

EBV:n Milan Itkovicin kirjoittama artikkeli on ilmestynyt tuoreessa ETNdigi-lehdessä. Sitä pääset lukemaan täällä.

back to top
MORE NEWS

Suomen kolmas Internet-yhdyspiste perustuu Nokian laitteisiin

Saksalainen DE-CIX on avannut uuden Internetin yhdysliikennepisteen Suomeen. Uusi yhdysliikennepiste on aluksi käytettävissä Equinixin datakeskuksissa Helsingissä, mutta saatavuus laajenee myöhemmin uusiin kohteisiin. DE-CIX:n yhteydet ovat jo kolmas netin iso solmupiste Suomessa.

Kolmen nanometrin jälkeen tulee kaksi nanometriä

Taiwanilainen TSMC tunnetaan monien edistyneimpien puolijohdesirujen sopimusvalmistajana. Tällä hetkellä volyymituotantoon ovat siirtymässä 3 nanometrin prosessissa valmistetut piirit. Vuonna 2025 edessä ovat ensimmäiset isot sarjat N2-prosessissa, jossa viivanleveys on enää kaksi nanometriä.

Tekoälyn mahdollisuudet päihittävät sen uhat

Capgemini Research Instituten julkaiseman tutkimuksen mukaan lähes 60 prosenttia opettajista uskoo, että vuorovaikutusosaaminen tekoälyn kanssa nousee keskeiseksi työelämätaidoksi tulevaisuudessa. Vaikka monet tunnustavat generatiivisen tekoälyn mahdollisuudet, 78 prosenttia opettajista maailmanlaajuisesti jakaa huolen sen mahdollisista negatiivisista vaikutuksista oppimistuloksiin.

Nokia esittelee jo 6G-piirejä

Yleisesti arvioidaan, että 6G-verkot voisivat tulla käyttöön joskus ensi vuosikymmenen vaihteessa. Alueen tutkimus etenee jo kovaa vauhtia, kuten Nokian Bell Labs -tutkimuskeskuksen ja mittaustalo Keysightin demot kansainvälisessä mikroaaltotekniikan symposiumissa kesäkuussa osoittavat.

ECF23: RedCap saattaa kaupallistua ensi vuonna

3G on käytännössä kadonnut. 90 prosenttia verkoista tukee 4G-tekniikkaa. 4G tulee olemaan käytössä vielä pitkän aikaa ja 5G on suunniteltu toimimaan 4G:n rinnalla. 5G-NR on yhtenäinen, suorituskykyisempi radiorajapinta. Pian sen päällä alkaa kulkemaan IoT-data, sanoi AcalBFi:n myyntipäällikkö Hans Andersson ECF23-konferenssin esityksessään.

Maailman ensimmäinen vesitiivis MEMS-paineanturi

STMicroelectronics on esitellyt markkinoiden ensimmäisen vesi- ja nestetiiviin MEMS-pohjaisen paineanturin. Samalla ST lupaa komponentille pitkän käyttöiän eli teollisuuskomponenteille vaaditun 10 vuoden eliniän.

Tekoälystä kaikki hyöty irti: ilmainen kurssi opettaa promptaamaan

Tekoälystä on lyhyessä ajassa tullut jokaiselle tärkeä apuri. Siitä on jo nyt hyötyä kaikille arjessa ja työelämässä. Tulevaisuuden mahdollisuudet ovat rajattomat. Tekoäly voidaan valjastaa keventämään hallinnollista työtä, tukemaan oppimista ja luovuutta sekä vapauttamaan aikaa inhimillisiin kohtaamisiin.

”Suomeen tarvitaan nopeasti kattava valokuituverkko”

- Suomi on ollut mobiilimaana hurja edelläkävijä, mutta samalla kiinteiden yhteyksien puoli on jäänyt täysin paitsioon. Suuri osa ei edes tiedä, miltä tuntuu olla valokuituyhteyden päässä, kun esimerkiksi videopuhelu tai -peli on aidosti reaaliaikainen, sanoo valokuituyhtiö Valoon liiketoiminnan kehityksestä vastaavaksi johtajaksi nimitetty Vesa Kemppainen.

Turvallista Linuxin verkon reunalle

NXP Semiconductors on julkistanut uuden i.MX 91 -sovellusprosessorien perheen. Sarja tarjoaa optimoidun yhdistelmän suojausta, ominaisuuksia ja energiatehokasta suorituskykyä, joita tarvitaan seuraavan sukupolven Linux-pohjaisessa IoT:ssä ja teollisuuden sovelluksissa.

Suomalaiset kehittivät sentintarkan kaivuurobotin kiskotöihin

Ensi viikolla Espanjan Tarragonassa järjestetään raidetekniikan tutkimukseen keskittyvä näyttely. Siellä esitellään suomalaista demoa, joka vie kiskojen automatisoidun rakentamisen ja korjaamisen uudelle tasolle. Tampereen yliopiston ja Novatronin yhteisdemossa robotti skannaa ympäristöään ja liikkuu ja toimii sentintarkasti.

Arm esitteli tulevien puhelimien prosessorit - 32-bittiset sovellukset jäävät historiaan

Arm valitsi Taiwanin Computex-näyttelyn paikaksi, jossa sen seuraavan polven älypuhelinprosessorit esiteltiin. Luvassa on lisää tehoa kaikkiin laiteluokkiin, kun suorittimissa siirrytään TCS23-alustalle. Samalla tuki 32-bittisille sovelluksille loppuu.

Sigfox ei kuollutkaan

Sigfox on LoRan rinnalla toinen ”alkuperäisistä” IoT-radiotekniikoista. Viime vuoden keväänä koko taru oli päättyä, kun tekniikan kehittänyt Sigfox SA ajautui konkurssiin. Jäämistö päätyi huutokaupassa singaporelaisen UnaBizin omistukseen. Sen johdolla toiminta on tervehtynyt ja nyt Sigfox näyttää täyttävän tekniikkaan kohdistuneet kovat lupaukset.

Darkwebistä löytyi kuusi miljoonaa varastettua maksukorttia

Vaikka pankit ja muut rahoitusalan tahot tekevät paljon suojatakseen asiakkaitaan korttipetoksilta, rikolliset onnistuvat siitä huolimatta tihutyöissään. NordVPN:n uusimmassa tutkimuksessa analysoitiin 6 miljoonaa maksukorttia, jotka löytyivät pimeästä verkosta.  Kaksi kolmasosaa korteista oli yhdistetty muihin yksityisiin tietoihin, kuten osoite, puhelinnumero, sähköpostosoite tai jopa sosiaaliturvatunnus.

Autokauppa on edelleen fossiilista

Autokauppa on ollut koronapandemian ja Venäjän aloittaman sodan aikana suurissa vaikeuksissa, kun tarvittavista komponenteista on ollut pulaa. Autoteollisuutta seuraavan JATO Dynamicsin mukaan ongelmat alkavat helpottaa, mikä näkyy myytyjen uusien ajoneuvojen määrän kasvuna. Valtaosa uusista autoista kulkee edelleen fossiilisilla polttoaineilla.

Elintoimintojen kliiniset mittaukset yhdellä piirillä

Moni fyysisen kunnon ja terveyden seurantaan tarkoitettu laite sisältää erilaisia elintoimintojen mittauksia, mutta niiden tarkkuus ja luotettavuus eivät täytä terveydenhoidon ammattilaisten vaatimuksia. Pitkälle integroidun AFE-piirin avulla voidaan kuitenkin rakentaa jopa iholle kiinnitettävän tarralapun muotoon mittausjärjestelmä, joka hoitaa kaikki tärkeät elintoimintojen mittaukset kliinisellä tasolla.

Simuloi 64-bittistä Arm-koodia PC:llä

Saksalainen SEGGER laajensi vastikään sulautettujen sovellusten työkalutarjontaansa kääntimen ja ajonaikaisen tuen 64-bittisille Arm-sovelluksille. Nyt palettiin on lisätty simulaattori.

Piianodia käyttävä ihmeakku tähtää lentäviin autoihin

Kalifornialainen Amprius Technologies on kehittänyt akkutekniikan, jossa grafiittianodi korvataan piipohjaisella ratkaisulla. Tämä kasvattaa akun energiatiheyden kaksinkertaiseksi. Nyt yhtiö kertoo suunnitelmistaan avata ensimmäisen tehtaansa.

Maailman nopein kotinetti tulee Suomeen

Suomen suurin valokuituoperaattori Lounea julkisti jo alkuvuonna aloittaneensa ensimmäisenä Suomessa kehityspolun kohti 50GPON-luokan kuituverkkoja. Teknologiatestit Lounealla ovat kevään aikana edenneet suunnitellusti ja testeissä kuitu kotiin -verkossa saavutettiin ennätyksellinen 42 gigan nopeus.

Pitääkö olla huolissaan, jos kännykän näyttö avautuu itsestään?

Jos laittaa Googleen hauksi "puhelin avautuu itsestään", saa yli 209 miljoonaa tuosta. Mutta miksi puhelimet avautuvat itsestään? Asiantuntijoiden mukaan kyse voi olla GhostTouch-hyökkäyksestä, joka voi aiheuttaa käyttäjille ongelmia, sanoo NordVPN:n kyberturvallisuusasiantuntija Adrianus Warmenhoven.

Signaalia avoimien Open RAN -tukiasemien kehitykseen

Open RAN on avoin tukiasema-arkkitehtuuri, jota monet operaattorit kaavailevat jatkossa käyttävänsä. Rohde & Schwarz ilmoittaa, että sen signaaligeneraattorit ja -analysaattorit on nyt hyväksytty Qualcommin avoimien verkkojen laitteiden QRU100-radiopiirien testaamiseen.

Apr # Nyhetssajt samt mobil. Placeras direkt efter första nyheten
 2022  # mobilbox
TMSNet  advertisement
Mar Apr May Jun # Rohde mobilbox
May  # Farnell  mobilbox f skyskrapa

© Elektroniikkalehti

 
 

TECHNICAL ARTICLES

Elintoimintojen kliiniset mittaukset yhdellä piirillä

Moni fyysisen kunnon ja terveyden seurantaan tarkoitettu laite sisältää erilaisia elintoimintojen mittauksia, mutta niiden tarkkuus ja luotettavuus eivät täytä terveydenhoidon ammattilaisten vaatimuksia. Pitkälle integroidun AFE-piirin avulla voidaan kuitenkin rakentaa jopa iholle kiinnitettävän tarralapun muotoon mittausjärjestelmä, joka hoitaa kaikki tärkeät elintoimintojen mittaukset kliinisellä tasolla.

Lue lisää...

OPINION

Ennakkoluulot estävät tekoälyn täyden hyödyntämisen

Tekoäly on valloittanut kahvipöytäkeskustelut. Keskusteluista voimme kiittää ChatGPT:n kaltaisia tekoälyjä, jotka loistavat kyvyllään laatia tekstejä – niin pätevästi kirjoitettuja artikkeleita kuin toimivaa koodiakin, kirjoittaa Lenovolla globaalin monimuotoisuustoimiston johtajana työskentelevä Ada Lopez.

Lue lisää...

LATEST NEWS

  • Suomen kolmas Internet-yhdyspiste perustuu Nokian laitteisiin
  • Kolmen nanometrin jälkeen tulee kaksi nanometriä
  • Tekoälyn mahdollisuudet päihittävät sen uhat
  • Nokia esittelee jo 6G-piirejä
  • ECF23: RedCap saattaa kaupallistua ensi vuonna

NEW PRODUCTS

  • Navitasin ihmetehopiirit Mouserin valikoimaan
  • 5 wattia neliötuuman powerista
  • 3,5 kilowattia erittäin korkealla hyötysuhteella
  • Automaattisesti varavirran varaan
  • Tarkkaa asentotietoa vihamielisessä ympäristössä
 

NEWSFLASH

twitter
ETN_fi @ETN_fi
ETN_fi UK Semiconductor Strategy https://t.co/MABHzsSaK4
toukokuu 10 • reply • retweet • favorite
ETN_fi RT @joeprkns: Last night I used GPT-4 to write code for 5 micro services for a new product. A (very good) dev quoted £5k and 2 weeks. G…
maalis 17 • reply • retweet • favorite
ETN_fi This is why Nokia lost the game in mobile phones - an insiders view https://t.co/NB5Wndkx5p
joulu 12 • reply • retweet • favorite
ETN_fi @OnePlus_FI lahjoittaa Pelastusarmeijalle 50 puhelinta jouluapuun. Iso- Britanniassa samanlainen lahjoitus tehdään… https://t.co/LKdl2Pywie
joulu 07 • reply • retweet • favorite
ETN_fi Finnish PM Sanna Marin: We need to cut our dependence on China. https://t.co/598gQXKvlj #Slush2022 #China #electronics #semiconductors
marras 17 • reply • retweet • favorite
web design services
 

Section Tapet