ADVERTISE SUBSCRIBE TECHNICAL ARTICLES EVENTS ETNdigi ABOUT USCONTACT

IN FOCUS

Suojaa datasi kunnolla

SSD-levyt tarjoavat luontaisesti korkean luotettavuuden kaikentyyppisiin sovelluksiin, aina aloitustason kuluttajalaitteista kriittisiin järjestelmiin. Asianmukaiset tietosuojamekanismit voivat maksimoida levyn käyttöiän toteuttamalla ennaltaehkäiseviä toimenpiteitä tarpeen mukaan, kertoo Silicon Motion artikkelissaan.

Lue lisää...

ETNtv

 
ECF24 videos
  • Timo Poikonen, congatec
  • Petri Sutela, Testhouse Nordic
  • Tomi Engdahl, CVG Convergens
  • Henrik Petersen, Adlink Technology
  • Dan Still , CSC
  • Aleksi Kallio, CSC
  • Antti Tolvanen, Etteplan
ECF23 videos
  • Milan Piskla & David Gustafik, Ciklum
  • Jarno Ahlström, Check Point Software
  • Tiitus Aho, Avnet Embedded
  • Hans Andersson, Acal BFi
  • Pasi Suhonen, Rohde & Schwarz
  • Joachim Preissner, Analog Devices
ECF22 videos
  • Antti Tolvanen, Etteplan
  • Timo Poikonen, congatec
  • Kimmo Järvinen, Xiphera
  • Sigurd Hellesvik, Nordic Semiconductor
  • Hans Andersson, Acal BFi
  • Andrea J. Beuter, Real-Time Systems
  • Ronald Singh, Digi International
  • Pertti Jalasvirta, CyberWatch Finland
ECF19 videos
  • Julius Kaluzevicius, Rutronik.com
  • Carsten Kindler, Altium
  • Tino Pyssysalo, Qt Company
  • Timo Poikonen, congatec
  • Wolfgang Meier, Data-Modul
  • Ronald Singh, Digi International
  • Bobby Vale, Advantech
  • Antti Tolvanen, Etteplan
  • Zach Shelby, Arm VP of Developers
ECF18 videos
  • Jaakko Ala-Paavola, Etteplan CTO
  • Heikki Ailisto, VTT
  • Lauri Koskinen, Minima Processor CTO
  • Tim Jensen, Avnet Integrated
  • Antti Löytynoja, Mathworks
  • Ilmari Veijola, Siemens

logotypen

TMSNet  advertisement
ETNdigi
A la carte
AUTOMATION DEVICES EMBEDDED NETWORKS TEST&MEASUREMENT SOFTWARE POWER BUSINESS NEW PRODUCTS
ADVERTISE SUBSCRIBE TECHNICAL ARTICLES EVENTS ETNdigi ABOUT US CONTACT
Share on Facebook Share on Twitter Share on LinkedIn

TECHNICAL ARTICLES

Lisää tehoa muunnoksiin

Tietoja
Kirjoittanut Veijo Ojanperä
Julkaistu: 18.05.2021
  • Devices
  • Power

Tehomuunnoksissa hyötysuhteella on suuri merkitys tänä päivänä, sillä jokaisen hukatun watin katsotaan osaltaan lisäävän ilmaston lämpenemistä ja loppukäyttäjän käyttökustannuksia. Tehomuuntimien perinteinen piipohjaisiin puolijohteisiin perustuva teknologia on saavuttanut suorituskyvyn osalta vakiintuneen tasonsa. Uudet laajan kaistaeron teknologiat, jotka perustuvat piikarbidiin ja galliumnitridiin, ovat osoittautumassa hyötysuhteeltaan paremmiksi.

Energian käyttö ja sen muuntaminen energialähteestä lopulliseen käyttöön soveltuvaksi ovat olleet kehitystyön kohteina niistä ajoista lähtien, jolloin hevosvoimalla ymmärrettiin nimensä mukaista voimaa ja auran muotoilulla oli olennainen merkitys siinä, kuinka kauan viljelysmaan kyntäminen kesti. Nyttemmin ajatellaan enemmän sähköenergiaa ja tehon muuntamista generaattorin lähdön jännitteestä käyttösovelluksen lopulliseksi jännitteeksi oli kyse sitten proses-soriin tarkoitettua 0,6 V:n tasasähköä, teollisuuden moottorin-ohjaukseen tarkoitettua 24 V:n tasasähköstä 500 V:n vaihtosähköön olevaa sähköä tai sähköauton lataamiseen tarkoitettua 400 V:n tasasähköä.

Muunnosprosessissa hyödynnetään poikkeuksetta tehopuoli-johteita, joista piipohjaiset kanavatransistorit eli MOSFETit ja IGBT:t eli eristehilabipolaari-transistorit ovat olleet suosituimpia vuosikymmenien ajan. Näissä kytkimissä häviöt ovat olleet merkittävin järjestelmän hyötysuhdetta alentava tekijä, ja se korostuu, koska nykyisin tehohäviöiden vähentämisestä on tullut keskeinen asia käyttökustannusten ja ympäristötaakan pienentämisessä.

Viime vuosina piille on tullut vaihtoehtoisia toteutettavissa olevia materiaaleja kuten piikarbidi SiC ja galliumnitridi GaN, joissa on tehomuunnoksen hyötysuhdetta parantavia ominaisuuksia. Nämä laajan kaistaeron (wide bandgap) piirit eivät kuitenkaan ole sellaisenaan suoraan käyttökelpoisia piipiirien tilalla, vaan sovelluksissa käytettävät piirit on sovitettava haluttuihin suunnitteluihin sopiviksi, etenkin jos halutaan saada käyttöön kaikki täyden suorituskyvyn edut. Kuvassa 1 kuvataan materiaalien välisiä merkittävimpiä eroavuuksia.

JOHTUMISHÄVIÖT

IGBT:llä on pienin kollektorista emitteriin oleva johtavuustilan kyllästymisjännite, joka yhdessä kollektorivirran kanssa määrittää johtumisesta aiheutuvat häviöt. Pii-MOSFETeillä on johtavuustilan resistanssi, joten tehohäviö on
I.R(ON), mikä voi nousta kohtuuttomaksi suurilla virta-arvoilla. Kuitenkin pienillä jännitteillä ja pienillä keskitehoilla alhaisen johtavuustilan resistanssin R(ON) omaavien pii-MOSFETtien johtumishäviöt voivat olla pienemmät kuin IGBT:llä.

SiC- ja GaN-piirien kriittiset läpilyöntijännitteet ovat paljon suuremmat kuin piipiireillä, jolloin drift- eli ajautumiskerros voi olla ohuempi ja seostuspitoisuus sakeampi. Tästä johtuen sirupinta-alan johtavuustilan resistanssi ja nimellisjännite pienenevät ja tuloksena on pienemmät johtumishäviöt. Lisäksi SiC:n lämpöjohtavuus on yli kolme kertaa parempi kuin piillä, joten pinta-alaltaan pienempää sirua voidaan käyttää saman lämpötilan nousun aikaansaamiseksi. Joka tapauksessa SiC:lla ja GaN:llä ovat mahdollisia paljon piitä suuremmat toimintalämpötilat, mikä parantaa niiden kuormituksen kestävyyttä.

KYTKENTÄHÄVIÖT

Suuri muuntimen kytkentätaajuus mahdollistaa, että muut tarvittavat komponentit kuten magneetit voivat olla pienempiä ja saadaan säästöjä koon, painon ja kustannusten osalta. Kaikkien piirien kytkentähäviöt kasvavat kuitenkin suoraan taajuuden mukaan. IGBT-piirejä käytetään harvoin yli 20 kHz:n taajuuksilla, koska tehohäviöitä syntyy ’häntävirroista’, joita tarvitaan kytkentäsuojapiireissä ja suurten piirikapasitanssien varaamisessa ja purkamisessa. Pii-MOSFETit voivat kytkeytyä satojen kilohertsien taajuuksilla, mutta lähtökapasitanssiin kulkevan virran energiahäviö EOSS muodostuu rajoittavaksi tekijäksi, kun taajuus kasvaa. SiC:lla ja GaN:llä on kuitenkin paljon piitä suurempi elektronien kyllästymisnopeus ja paljon pienemmät kapasitanssit, joten ne voivat kytkeytyä paljon nopeammin pienemmillä häviöillä.

Merkitystä on myös sillä, miten piirit käyttäytyvät ’kolmannessa kvadrantissa’ johtavuuskanavan ollessa estosuuntainen, kuten tapahtuu esimerkiksi moottorikäyttöjen nopeassa kytkennässä (hard switching) ja invertterin kommutoidessa. Koska IGBT:t eivät johda estosuunnassa, tarvitaan vastakkaissuuntainen diodi, jonka tulee olla tyypiltään nopeasti palautuva pienillä jännitemuutoksilla.

Vaikka pii- ja SiC-MOSFETtien sisäiset diodit ovat luontaisesti nopeita, niiden kanavat voivat johtaa myös estosuuntaisesti vähin häviöin ja ilman estosuuntaista palautumisilmiötä, kun niiden hilat kytketään johtamaan. Kuitenkin jokainen ’kuollut aika’, jolloin kanava on estosuuntainen, mutta hila ei ole vielä kytketty johtotilaan, aiheuttaa sen, että sisäinen diodi ei johda tuona aikana. Seurauksena on merkittävä tehohäviö suhteellisen suuren päästöjännitteen muutoksen vuoksi.

GaN-kytkimet koostuvat suuren elektroniliikkuvuuden omaavista HEMT-transistoreista eikä niissä ole sisäisiä diodeja. Vaikka niiden kanavat voivat MOSFETtien tavoin johtaa estosuunnassa, myös niissä tapahtuu sisäisen diodin aiheuttama ilmiö kanavassa jokaisen kuolleen ajan aikana, jolloin jännitteen muutos on suunnilleen samansuuruinen hilan noin 2V:n kynnysjännitteen kanssa. Tämän seurauksena voi olla jälleen häviöitä, ellei kanava ole aktiivisesti kytketty johtotilaan.

KÄYTÄNNÖN TOTEUTUKSIA

Kytkentäteknologian valinnassa olennainen asia on toimintajännite. Suuritehoiselle pii-MOSFETille se on suurimmillaan noin 950 V, GaN-HEMT:ille noin 600 V ja SiC-MOSFETille noin 1700 V. IGBT:llä on yhä vankka asema erittäin suurilla jännitteillä, vaikkakin MOSFETeistä voidaan kokoonpanna joitakin topologioita, joilla saadaan pienennettyä jänniterasitusta. Kun ylijännitteen vaara on olemassa, IGBTeitä ja MOSFETtejä suojaa vyörypurkaustila erilaisilla piireistä riippuvaisilla jännitearvoilla. GaN HEMT:llä ei ole suojaavaa vyörypurkaustilaa, joten ne rikkoutuvat vakavin seurauksin ylijänniterasituksessa. Tästä syystä GaN-piirien valmistajat haluavat varmistaa, että datalehdessä annetun jännitearvon ja absoluuttisen suurimman jännitteen välinen marginaali on riittävän iso.

Paras mahdollinen hilaohjaus-järjestely on hyvin erilainen eri piiriteknologioiden välillä. IGBT:llä on eristetyt hilat ja tarvitaan suuri kokonaisvaraus riittävän ohjaustehon aikaansaamiseksi. Tämä skaalautuu suoraan hilajännitteen ja taajuuden vaihteluihin: suurimmat piirit kuluttavat useita watteja realistisilla kytkentätaajuuksilla. Pii-MOSFETtien hilavaraukset ja ohjaustehon vaatimukset ovat paljon pienempiä ja IGBT:een tavoin niiden hilan kynnysjännite on 10 V:n luokkaa enimmillään. Absoluuttinen suurin hilajännite on tyypillisesti +/- 25 V. Hila ohjataan usein negatiiviseen jännitteeseen aina noin -12 volttiin saakka piirin kytkemiseksi pois päältä. Tämä on tarkoitettu kompensoimaan Millerin kapasitanssin ilmiötä ja mitä tahansa lähde- tai emitteriliitännässä vaikuttavaa yhteisinduktanssia, joilla kummallakin on taipumusta tuottaa häiriöitä päältä pois – eli OFF-kytkentätilassa hilan ohjausta häiritsemään.

SiC:lla ja erityisesti GaN:llä on hyvin alhainen kokonaishilavaraus ja merkityksettömät ohjaustehovaatimukset. Täyden suoritustehon saavuttamiseksi SiC-hiloja täytyy ohjata kuitenkin lähes 20 V:lla, mikä lähentelee tyypillistä absoluuttista maksimiarvoa +25 V. Suojaavia rajoitusdiodeja käytetään tällöin usein ehkäisemään jänniterasituksia. GaN HEMT -transistorit ovat itse asiassa virtaohjattuja jännitteen ollessa noin 3 V tuottaen muutaman milliampeerin virran, joka tarvitaan piirin päälle kytkemiseksi. Jännite vaihtelee voimakkaasti lämpötilan ja nieluvirran mukaisesti eikä sitä siten ole spesifioitu normaaliksi kynnysjännitteeksi VTH. Suurin hilavirta on siksi määritelty - mitattuna kymmenissä milliampeereissa - vaikkakin ampeerien pulssivirrat ovat sallittuja riippuen pulssinleveydestä ja toistonopeudesta.

Sekä SiC että GaN saattavat kärsiä ’haamukytkeytymisistä’, joihin ovat syynä luontaiset erittäin suuret di/dt- ja dV/dt-tasot. Tämän takia muutaman voltin negatiivista hilaohjausta käytetään usein piirin pois päältä kytkemiseen. Erityisesti GaN-piirien yhteydessä on otettava huomioon riskit, joita saattaa aiheutua niiden matalasta tehollisesta kynnysjännitteestä ja nopeimmasta dV/dt-tasosta.

Piirivalmistajat varustavat kuitenkin yleensä SiC- ja GaN-piirinsä lähteeseen liitettävillä ’Kelvin’-liitännöillä, jolloin hilaohjaussilmukka saadaan tehokkaasti eristetyksi päävirtareitistä ja mainittu riski pienenee tai poistuu kokonaan. GaN HEMT -hilojen ohjaaminen negatiiviseksi voi myös aiheuttaa ongelmia, sillä jännite suoraan lisää piirin sisäisten diodien tehon pudotusta, jos kanava johtaa estosuunnassa kuolleen ajan aikana, ja tällöin häviöt lisääntyvät.

SiC- ja GaN-piirien hilaohjaukset sisältävät tyypillisesti ylimääräisiä sarjavastuksia, jotka harkitusti hidastavat kytkennän reunanopeuksia kompromissina EMI-häiriöiden ja suorituskyvyn välillä. Piirit, joissa käytetään erillisiä vastuksia ON- ja OFF-kytkennän ohjausta varten, ovat yleisesti käytettyjä ja toteutettu ohjausdiodeilla.

PIIRIEN SOVELLUKSIA

SiC on nyt yleisesti käytössä tehosovelluksissa 650-1700 V:n nimellisarvoilla sovitettuna yleisiin yksi- ja kolmivaiheisiin teollisiin ja invertterisovelluksiin. Piirit ovat kestäviksi todettuja ja uusimpiin ohjainpiireihin ja tekniikoihin soveltuvina ovat lisäämässä suosiotaan laajasti. SiC-piirejä voidaan sovittaa myös joihinkin jo olemassa oleviin pii-MOSFETtejä käyttäviin sovelluksiin tai jopa IGBT-sovelluksiin tekemällä joitakin modifiointeja ohjaustekniikkaan ja kytkentäsuoja-piireihin. Kokonaan uusissa suunnitteluissa voidaan hyödyntää suurempia kytkentätaajuuksia ja käyttää asianmukaisia layouteja, jolloin etua saadaan kun voidaan käyttää pienempiä magneettisia komponentteja.

GaN-piireille avautuu käyttömahdollisuuksia teholähteissä, joissa GaN-piirit tarjoavat parhaimman hyötysuhteen pienen jännitteen sovelluksissa. Tällaisia ovat esimerkiksi aurinkopaneelien invertterit, tietoliikenteen DC-DC-muuntimet, luokan D audiovahvistimet ja yksivaiheiset AC-teholähteet.

Ohjaustasojen herkkyyteen liittyvät huolet on ratkaistu kaskadikytkennöillä, jolloin hilaominaisuudet ovat samanlaiset kuin perinteisillä, piipohjaisilla MOSFETeillä.

Alun epäilyjen jälkeen piirien luotettavuus on parantunut, sillä teknologia on nyt osoittautunut valmiiksi ja vioittumismekanismit on saatu selvitettyä ymmärrettäviksi. Nyt suunniteltavat piirit ovat varmatoimisia ja ottavat huomioon absoluuttiset suurimmat nimellisarvot.

GaN:lle asetettavat nimellisjännitteet kasvavat joka tapauksessa tulevaisuudessa, joten enenevässä määrin ne tulevat kilpailemaan SiC- ja pii-MOSFETtien kanssa 900-1000 V:n alueella, mikä on tärkein sovellusalue teollisuuden DC-jännitetasoilla ja sähköautojen suuremmilla akkujännitteillä.

Piikarbidi- ja galliumnnitridi ovat käyttökelpoisia tyypillisen teho-muuntimen kaikilla piiriasteilla alkaen toteeminapaisen tasasuuntaajan PFC-asteesta invertterin pääasteen kautta synkronoituihin lähtötasa-suuntaajiin.

LUVASSA ISOJA HYÖTYJÄ

SiC ja GaN ovat nykyisin valtavirtaa ja yleistyvät erilaisissa erinomaista hyötysuhdetta edellyttävissä sovelluksissa. Niiden erityislaatuisten ominaisuuksien hyötyjen esiin saaminen vaatii jonkin verran paneutumista, mutta pienemmät häviöt, koot, pienempi paino ja edullisempi hinta painavat vaakakupissa enemmän. Myös ympäristövaikutukset jäävät pienemmiksi.

 

EBV:n Milan Itkovicin kirjoittama artikkeli on ilmestynyt tuoreessa ETNdigi-lehdessä. Sitä pääset lukemaan täällä.

MORE NEWS

Tässä alkuvuoden luetuimmat uutiset

Vuoden 2025 ensimmäiset kuukaudet ovat tuoneet esiin selkeitä teknologian ja arjen muutostrendejä, jotka kiinnostavat suomalaisia lukijoita. Turvallisuus, energiatehokkuus, älylaitteiden käyttö ja tulevaisuuden laiteratkaisut ovat nousseet voimakkaasti esiin sekä yksilön että yhteiskunnan tasolla. Kuluttajat haluavat nyt ymmärtää laitteidensa riskit, hyödyntää teknologian koko potentiaalia – ja tehdä entistä järkevämpiä valintoja arjessaan.

Luetuimmat: GPMI uhkaa HDMI:n asemaa

Kiinassa on esitelty uusi monikäyttöinen kaapelistandardi, joka saattaa horjuttaa HDMI:n, DisplayPortin ja Thunderboltin asemaa. Yli 50 kiinalaisen teknologiajätin muodostama Shenzhen 8K UHD Video Industry Cooperation Alliance on kehittänyt General Purpose Media Interface -standardin (GPMI), jonka tekniset ominaisuudet tekevät siitä varteenotettavan kilpailijan nykypäivän yleisimmille liitännöille.

Luetuimmat: Näin sähköauton akun elinikä kasvaa 19-kertaiseksi

Korelaisten POSTECHin (Pohang University of Science and Technology) ja Sungkyunkwanin yliopiston tutkijat ovat löytäneet uuden tavan pidentää sähköautojen litiumioniakkujen käyttöikää jopa 19-kertaiseksi – ilman uusia materiaaleja tai teknologioita. Ratkaisu on yksinkertainen: siinä pitää välttää akun täydellistä tyhjentämistä.

Luetuimmat: Tämän takia litium-nikkeliakut hajoavat

Dallasin Texasin yliopiston (UTD) tutkijat ovat löytäneet syyn, miksi litium-nikkelioksidi (LiNiO₂) -akut menettävät kestävyyttään ja rappeutuvat toistuvien lataussyklien aikana. Löydös voi avata tietä pitkäikäisemmille ja tehokkaammille akuille, jotka voisivat parantaa esimerkiksi sähköautojen ja älylaitteiden suorituskykyä.

Luetuimmat: Pian aurinkopaneeli tulee pakolliseksi

EU:n uusi rakennusten energiatehokkuusdirektiivi (EPBD) on nyt virallisesti hyväksytty ja aikataulutettu. Sen mukaan 31. joulukuuta 2029 jälkeen rakennusluvan saaneissa uusissa asuinrakennuksissa – mukaan lukien omakotitalot – on oltava soveltuvat aurinkoenergiajärjestelmät.

Luetuimmat: Bluetooth kannattaa aina sammuttaa älypuhelimesta

Bluetooth-yhteys on monelle arkipäiväinen apuväline langattomissa kuulokkeissa, kaiuttimissa tai paikannuslaitteissa. Harva kuitenkaan muistaa, että tämä näennäisesti harmiton toiminto voi kuluttaa akkua ja muodostaa merkittävän tietoturvariskin – erityisesti silloin, kun se on päällä turhaan.

Sudo vaihtuu Ubuntussa

Ubuntun takana oleva Canonical on ilmoittanut, että tulevassa Ubuntu 25.10 -versiossa perinteinen sudo korvataan uudella versiolla nimeltä sudo-rs. Tämä uusi komento on kirjoitettu Rust-ohjelmointikielellä ja se toimii lähes identtisesti vanhan sudon kanssa, mutta sen sisäinen toteutus on turvallisempi ja modernimpi.

Pian tietokoneesi tietää, oletko paikalla

STMicroelectronics on esitellyt uudenlaisen Human Presence Detection (HPD) -ratkaisun, joka yhdistää lentoaikaa mittaavia ToF- eli Time-of-Flight-antureita ja tekoälyä parantaakseen kannettavien tietokoneiden käyttökokemusta, akunkestoa ja turvallisuutta. Ratkaisu ei vaadi kameroita tai kuvien tallennusta.

WithSecure: telemetriatiedot tunnistavat 0-päiväuhkat tehokkaammin

Kyberturvallisuusyhtiö WithSecure on kehittänyt uuden, ennakoivan tavan tunnistaa nollapäivähaavoittuvuuksia hyödyntämällä päätelaitteiden käyttäytymistelemetriaa. Yrityksen mukaan kyseessä on merkittävä läpimurto, joka siirtää haavoittuvuuksien tunnistamisen reaktiivisesta mallista kohti ennakoivaa analytiikkaa – jopa ennen kuin haavoittuvuus on yleisesti tiedossa tai hyväksikäytetty.

Pian se vihdoin tapahtuu: Windows 11 nousee suosituimmaksi

Windows 11 on ennennäkemättömässä nousukiidossa. Vielä toukokuussa Windows 10 hallitsi selvästi maailmanlaajuista käyttöjärjestelmämarkkinaa, mutta tuoreimmat tilastot kertovat selkeästä käänteestä: Windows 11 on ohittamassa edeltäjänsä – mahdollisesti jo kesäkuun aikana.

Suunnittele RISC-V-piiri muutamassa minuutissa

Piirisuunnittelu, joka perinteisesti vie kuukausia ja vaatii monen hengen asiantuntijatiimin, voi nyt onnistua minuuteissa yksittäiseltä suunnittelijalta. Intialainen startup InCore Semiconductors on esitellyt SoC Generator -alustan, joka automatisoi järjestelmä- eli SoC- piirien suunnittelun ennennäkemättömällä tavalla.

Rakettitiede lentää onnistuneilla rekrytoinneilla

Helsinkiläinen ohjelmistokehitykseen erikoistunut IT-yhtiö Rakettitiede jatkoi kannattavaa kasvuaan viime vuonna. - Olemme onnistuneet rekrytoimaan kokeneita osaajia ja tarjoamaan heille juuri oikeanlaisia toimeksiantoja, sanoo toimitusjohtaja Juha Huttunen.

Maailman ensimmäinen lisälaitesovitin, joka säilyttää IP65-luokituksen

Sotilaskäytössä kentällä tarvitaan IP65-luokitusta – eli täyttä suojaa pölyä ja roiskevettä vastaan – jotta laitteet kestävät vaativissa ja vaihtelevissa olosuhteissa. Mutta entä jos laitteeseen täytyy liittää lisälaitteita, kuten radiot, LAN-verkot tai muut kenttävarusteet? Usein suojaus menetetään heti, kun portit avataan. Panasonic on ratkaissut tämän ongelman esittelemällä maailman ensimmäisen lisälaitesovittimen, joka säilyttää IP65-luokituksen myös käytön aikana.

Tekoälyn aikakaudella mikro-ohjain pitää ajatella uusiksi

ETN - Technical articleTekoälyä tuodaan nyt vauhdilla mikro-ohjaimiin. Ajan myötä kaikista päätelaitteiden ML-sovelluksiin tarkoitetuista mikro-ohjaimista tulee hybridilaitteita, joissa yhdistyvät CPU ja NPU. Tämä kehitys on väistämätöntä.

Suomalainen startup Ovido kesyttää tuotetiedon tekoälyn avulla

Helsinkiläinen teknologiayritys Ovido haluaa mullistaa tavan, jolla tuotetietoa hallitaan kansainvälisissä toimitusketjuissa. Yritys kehittää tekoälypohjaista SaaS-alustaa, joka auttaa valmistajia vastaamaan kiristyviin sääntelyvaatimuksiin, kertovat toimitusjohtaja Suvi Haimi ja toinen perustaja Antti Toponen.

VTT kehitti maatuvan aurinkokennon maatalouteen

VTT on kehittänyt maailman ensimmäisten joukossa täysin biohajoavan aurinkokennomoduulin, joka voidaan kiinnittää suoraan viljelykasvin lehteen tai varteen. Maatuvan kennon avulla maatalouteen voidaan tuoda uutta mittauselektroniikkaa ilman huolta jätteistä tai ympäristöhaitoista.

Uusi GaN-transistori voi mullistaa 6G-verkkojen radiotaajuuspiirit

Bristolin yliopiston ja Northrop Grummanin tutkijat ovat kehittäneet uudenlaisen galliumnitridiin (GaN) perustuvan transistoriarkkitehtuurin, joka voi merkittävästi parantaa tulevien 6G-verkkojen nopeutta, tehokkuutta ja signaalinlaatua. Löydös julkaistiin Nature Electronics -lehdessä.

OnePlussan Nord-sarja ottaa harppauksen lippulaivojen suuntaan

OnePlus valmistautuu isoon kesälanseeraukseen, kun se julkistaa 8. heinäkuuta viisi uutta laitetta, ajoitetusti keskelle lomakautta. Tuotteisiin kuuluvat uudet puhelinmallit OnePlus Nord 5 ja Nord CE 5, langattomat kuulokkeet Buds 4, älykello Watch 3 (43 mm) sekä edullinen tablettiuutuus OnePlus Pad Lite.

Lopulta tekoäly lopettaa koodaamisen

AWS:n Principal Developer Advocate Gunnar Grosch esitti AWS Summit Stockholm 2025 -tapahtumassa rohkean näkemyksen ohjelmistokehityksen tulevaisuudesta. - Lopulta tekoäly lopettaa koodaamisen. Hänen mukaansa kehittäjien rooli on jo nyt siirtymässä koodin kirjoittajista kohti koodintarkastajaa – asiantuntijaa, joka ohjaa, tarkistaa ja optimoi tekoälyn tuottamaa koodia.

Mullistava muunninpiiri nostaa datansiirron nopeuden kolminkertaiseksi

Belgialainen mikroelektroniikan tutkimuskeskus IMEC on esitellyt digitaalista datansiirtoa mullistavan uutuuden. 150 giganäytetty sekunnissa näytteistävä DA-muunnin 300 gigabitin tiedonsiirtoon sekunnissa yhdellä kaistalla. Tämä on merkittävä harppaus verrattuna nykyisiin markkinoilla oleviin PAM-4-pohjaisiin ratkaisuihin.

ETNdigi 1/2025 is out
TMSNet  advertisement

© Elektroniikkalehti

 
 

TECHNICAL ARTICLES

Tekoälyn aikakaudella mikro-ohjain pitää ajatella uusiksi

ETN - Technical articleTekoälyä tuodaan nyt vauhdilla mikro-ohjaimiin. Ajan myötä kaikista päätelaitteiden ML-sovelluksiin tarkoitetuista mikro-ohjaimista tulee hybridilaitteita, joissa yhdistyvät CPU ja NPU. Tämä kehitys on väistämätöntä.

Lue lisää...

OPINION

Onko tekoäly nyt uusin uhka tietoturvalle?

Tekoäly on tullut jäädäkseen – siitä ei ole epäilystäkään. Mutta mitä tapahtuu, kun siitä tulee myös kyberturvallisuuden suurin uhka?

Lue lisää...

LATEST NEWS

  • Tässä alkuvuoden luetuimmat uutiset
  • Luetuimmat: GPMI uhkaa HDMI:n asemaa
  • Luetuimmat: Näin sähköauton akun elinikä kasvaa 19-kertaiseksi
  • Luetuimmat: Tämän takia litium-nikkeliakut hajoavat
  • Luetuimmat: Pian aurinkopaneeli tulee pakolliseksi

NEW PRODUCTS

  • Maailman ensimmäinen lisälaitesovitin, joka säilyttää IP65-luokituksen
  • Uudenlainen termistori on iso askel sähköautoille
  • 10 wattia sokeripalan kokoisesta teholähteestä raiteille
  • Bluetoothin uudet ominaisuudet käyttöön pienellä USB-tikulla
  • Yksi piiri pidentää langattoman laitteen käyttöaikaa
 
 

Section Tapet