Gallium-nitridi (GaN) tarjoaa merkittäviä etuja tehokkuuden ja tehotiheyden lisäämisessä, mikä mahdollistaa suunnittelijoille huomattavasti haastavampien virtalähdemääritysten täyttämisen verrattuna piipohjaisiin MOSFET-komponentteihin. Yksi kohtuullinen huolenaihe minkä tahansa uuden, merkittäviä etuja tarjoavan teknologian suhteen on sen kestävyys ja luotettavuus. Poistaaksemme mahdolliset epäilykset, joita käyttäjillä saattaa olla, tarkastellaan GaN-teknologian kestävyyttä, luotettavuutta ja laatua.
Nokia ja Ericsson järjestivät eilen Brysselissä New Industrial Ambition for Europe -huippukokouksen, jossa korostettiin Euroopan teknologiakilpailukyvyn kriittistä tilaa ja tarvetta välittömiin toimiin. Kokouksessa olivat mukana eurooppalaisen teknologia-alan ja politiikan kärkinimet, jotka vetoavat EU:n päättäjiin digitalisaation ja investointien priorisoimiseksi.
Tule tapaamaan meitä tulevissa tapahtumissamme. R&S-seminaareihin saat kutsukirjeet ja uutiskirjeet suoraan sähköpostiisi, kun rekisteröidyt sivuillamme.