
Älypuhelimien keskusmuistien kehitys on ollut viime vuosina hämmästyttävän nopeaa. Nyt korealainen SK Hynix tuo markkinoille uuden polven LPDDR5T-muistin, joka on samalla maailman nopein puhelimiin suunniteltu DRAM-muisti.
Marraskuussa yritys esitteli LPDDR5X-sirut, joissa kaistanleveys oli kasvatettu 9,6 gigabittiin sekunnissa. Uusi siru - T tulee sanasta Turbo - on 13 prosenttia nopeampi. Kaista riittää käsittelemään viidentoista FullHD-elokuvan sisältämän datan sekunnissa.
Suorituskyvyn lisäksi uusi muisti on erittäin vähävirtainen. Se tukee JEDECin määrityksiä eli käyttöjännite on 1,01-1,12 volttia.
SK Hynix kertoo aloittaneensa näytetoimitukset 16 gigatavun monisirukoteloista, joissa useita LPDDR5T-siruja on integroitu samaan koteloon. Tällä hetkellä monissa Android-puhelimien lippulaivoissa muisti on kasvatettu 12 gigatavuun, mutta myös 16 gigatavun malleja on jo saatu markkinoille.
T-versio on mobiililaitteiden DRAM-sirujen seitsemäs sukupolvi. Seuraavaksi valmistajat tähtäävät kahdeksannen polven muisteihin, jotka tullaan merkitsemään tunnuksella LPDDR6.






















