Yhä useamman uuden puhelimen mukana ei tule laturia, joten markkinoilla on tarvetta entistä paremman hyötysuhteen laitteille. STMicroelectronics halajaa näille markkinoille uudella USB:n tehonsyöttöstandardia (PD) tukevalla kahden portin piirisarjallaan.
ST-ONEMP perustuu markkinoiden ensimmäiseen ST-ONE-arkkitehtuuriin, jossa yhdistyvät Arm Cortex-M0+ -mikro-ohjain, energiatehokas flyback-muunninohjain ja USB 3.1 -liitäntä yhdessä kotelossa. Käyttämällä galvaanista eristystä ensiöpuolen ja toisiopuolen piirien välillä ST-ONE-arkkitehtuuri yksinkertaistaa huomattavasti USB-PD-virtasovittimien suunnittelua ja kokoonpanoa.
ST-ONEMP:n sisällä Cortex-M0+ MCU on upotettu toisiopuolelle, ja siinä on 64 kilotavua flash-muistia USB-PD-protokollan ja virranmuunnosohjelmiston mukauttamiseen. USB-PD 3.1 PPS -sertifioitu laiteohjelmisto on esiladattu, mikä mahdollistaa avaimet käteen -ratkaisun laturinvalmistajlle. MCU ohjaa synkronista tasasuuntaajaa ja flyback-muunninta.
ST-ONEMP voidaan liittää ST:n omiin MasterGaN-tehokomponentteihin. GaN-teknologia mahdollistaa erinomaisen kytkennän korkeammilla taajuuksilla kuin perinteiset pii-MOSFETit, mikä mahdollistaa sovittimien suuremman tehotiheyden ja korkean energiatehokkuuden. Lopullisesta laturituotteesta saadaan näin pienempi ja tehokkaampi.
ST tarjoaa kehittäjille referenssimallia laturille, joka syöttää kahdesta portista 65 ja 10 watin tehoja. Laturin paino ja tilavuus on verrattavissa 20 W:n yksiporttiseen älypuhelimen laturiin. 94 prosentin hyötysuhde on 2 prosenttia korkeampi kuin vastaavissa tavanomaisissa 2-porttisissa sovittimissa, kun taas piirilevyn pinta-ala on kooltaan vain neljänneksen.
Lisätietoja ST:n sivuilta.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
