Viime viikolla Semcon 2024 -tapahtumassa Samsung on julkistanut aikeensa tuoda markkinoille kolmiulotteiset DRAM-muistit. Asiasta raportoi esimerkiksi Korea Economic Daily. Sirujen yksityiskohdista Samsung on ollut hyvin vaitonainen.
3D DRAM -siru kolminkertaistaa piirin kapasiteetin pinta-alayksikköä kohti pinoamalla solut pystysuoraan. Lähin vastine lienee HBM-muisti (High Bandwidth Memory), jossa samaan koteloon yhdistetään pystysuoraan useita DRAM-siruja.
Memcon 2024 -tapahtumassa Samsung kertoi tuovansa ensimmäiset 3D-DRAMien versiot markkinoille vuonna 2025. Yhtiö aikoo myös ottaa käyttöön pinotun DRAM-muistin, joka kasaa kaikki solut, mukaan lukien kondensaattorin, samalle sirulle vuonna 2030.
Tällä hetkellä DRAMmuistit valmistetaan vaakasuoralle alustalle, jossa transistorit makaavat kylki kyljessä. Suurimmilla siruilla transistoreja on kymmeniä miljardeja, mutta vaakarakenne tuo ongelmia esimerkiksi vuotovirtojen takia.
3D DRAM:n ennustetaan lisäävän kapasiteettia yksikkösirualueella, kun samalle alueelle voidaan sijoittaa enemmän soluja. 3D DRAMin peruskapasiteetti on 100 gigatavua. Tämä tarkoittaa noin kolme kertaa enemmän bittejä yhdelle sirulle nykyrakenteisiin verrattuna.