Flash-siruissa transistorien ahtaminen pienempään ei ole toiminut samalla tavoin kuin vaikkapa DRAM-siruissa. Tämän takia valmistajat ovat kasvattaneet bittitheyttä rakentamalla soluja pystysuunnassa. Korealaistietojen mukaan Samsung olisi jo ensi vuonna tuomassa tarjolle NAND-piirejä, joissa on 430 metallointikerrosta.
Korealaisen talouslehti Economic Dailyn mukaan Samsung on jo aloittanut yhdeksännen sukupolven V-NAND-piirien volyymituotannon. Näissä kerroksia on 290. Tämän hetken tiheimpien SSD-levyjen tuotannossa käytetään 8. sukupolven V-NAND-siruja, joissa kerroksia on 236.
Lehden mukaan 10. polven V-NAND-piirien tuotanto alkaa ensi vuonna. Siinä jokaiseen soluun voidaan tallentaa kolme bittiä eli muistit ovat ns. TLC-tyyppiä. Tätä pidetään yleensä ainoana keinona valmistaa yli 300 metallointikerroksen NAND-siruja.
Samsung on jo aiemmin kertonut, että vuoteen 2030 mennessä se aikoo lisätä NAND-solujen kerrosten määrän tuhanteen. Kysyntää lisäkapasiteetille on, että markkinatutkimusyhtiö Omdian mukaan NAND-flash-markkinoiden odotetaan kasvavan 38,1 prosenttia tänä vuonna.
3D-tyyppinen NAND-arkkitehtuuri perustuu kaikilla valmistajilla ns. charge trap -tallennukseen eli ”varausloukkuun”. Tekniikka perustuu siihen, että muistisolun sisällä olevat elektronit säilytetään eristävässä kerroksessa, joka toimii eräänlaisena loukkuna näille varauksille.
Kuva: Samsungin vastikään esitelty 9. sukupolven V-NAND-piiri.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
