Flash-siruissa transistorien ahtaminen pienempään ei ole toiminut samalla tavoin kuin vaikkapa DRAM-siruissa. Tämän takia valmistajat ovat kasvattaneet bittitheyttä rakentamalla soluja pystysuunnassa. Korealaistietojen mukaan Samsung olisi jo ensi vuonna tuomassa tarjolle NAND-piirejä, joissa on 430 metallointikerrosta.
Korealaisen talouslehti Economic Dailyn mukaan Samsung on jo aloittanut yhdeksännen sukupolven V-NAND-piirien volyymituotannon. Näissä kerroksia on 290. Tämän hetken tiheimpien SSD-levyjen tuotannossa käytetään 8. sukupolven V-NAND-siruja, joissa kerroksia on 236.
Lehden mukaan 10. polven V-NAND-piirien tuotanto alkaa ensi vuonna. Siinä jokaiseen soluun voidaan tallentaa kolme bittiä eli muistit ovat ns. TLC-tyyppiä. Tätä pidetään yleensä ainoana keinona valmistaa yli 300 metallointikerroksen NAND-siruja.
Samsung on jo aiemmin kertonut, että vuoteen 2030 mennessä se aikoo lisätä NAND-solujen kerrosten määrän tuhanteen. Kysyntää lisäkapasiteetille on, että markkinatutkimusyhtiö Omdian mukaan NAND-flash-markkinoiden odotetaan kasvavan 38,1 prosenttia tänä vuonna.
3D-tyyppinen NAND-arkkitehtuuri perustuu kaikilla valmistajilla ns. charge trap -tallennukseen eli ”varausloukkuun”. Tekniikka perustuu siihen, että muistisolun sisällä olevat elektronit säilytetään eristävässä kerroksessa, joka toimii eräänlaisena loukkuna näille varauksille.
Kuva: Samsungin vastikään esitelty 9. sukupolven V-NAND-piiri.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.