Mobiililaitteiden ja erityisesti ns. puettavien elektroniikkalaitteiden yleistyminen vie komponenteissa kehitystä kohti yhä alhaisempia jännitteitä. Englantilainen IP-talo sureCore on esitellyt SRAM-muistin, joka toimii ennätyksellisen alhaisella 0,6 voltin jännitteellä.
Yhtiön mukaan piiri on jo toteutettu TSMC:N 40 nanometrin prosessissa. Testipiiri kutisti dynaamisen tehonkulutuksen 80 prosenttia aikaisempaa pienemmäksi. Staattinen tehonkulutus pieneni 75 prosenttia.
SRAM-piireissä iso haaste on sureCOren mukaan se, että standardisolutekniikoila piiri ei ole luotettava alle 0,9 voltin jännitteellä. Tämä on ollut ongelma monissa laitteissa, joissa logiikan käyttöjännitettä on kyllä saatu laskettua, mutta SRAM-muisti on vaatinut vähintään 0,9 volttia.
SureCoren salaisuus on sen oma tekniikka, jolla SRAM-muisti voi toimia aina virkistysjännitteellä asti. Piirin jännite voidaan toki nostaa myös 1,21 volttiin, jolloin sen kellotaajuuskin saadaan nopeutettua 20 megahertsistä yli 300 megahertsiin.
SureCore lisensoi SRAM-IP:tään 8-576 kilobitin toteutuksiin laitevalmistajille.