Fujitsu ja Fujitsu Laboratories kertovat kehittäneensä GaN- eli galliumnitridiin pohjautuvien HEMT-transistorien (high electron mobility transistors) kiderakenteen, jossa voi kasvattaa sekä virtaa että jännitettä. Rakenteen ansiosta voidaan transistorin antoteho kasvattaa kolminkertaiseksi.
Mikroaaltoalueelle suunnattu uusi GaN HEMT -tekniikka voi toimia erilaisten laitteiden kuten säätutkan tehovahvistimena. Soveltamalla uutta tekniikkaa odotetaan tutkan havaintoalueen laajenevan 2,3-kertaisesti.
Laajentaakseen erilaisien laitteiden kattavuusaluetta on kasvatettava tehovahvistimina käytettävien transistorien antotehoa. Perinteisellä tekniikalla esimerkiksi korkeamman jännitteen soveltaminen voisi helposti vahingoittaa transistorin muodostavia kiteitä. Siksi oli teknisesti vaikeaa lisätä virtaa ja jännitettä samanaikaisesti, mikä tarvitaan korkean tehon GaN HEMT:n toteuttamiseksi.
Fujitsu ja Fujitsu Laboratories ovat nyt kehittäneet kiderakenteen, joka kestää korkeampaa käyttöjännitettä hajauttamalla jännitettä estokerroksella ja siten estää kidevahingot.
Tekniikka on mahdollistanut Fujitsun saavuttaa maailman korkeimman tehotiheyden porttileveyden millimetrille 19,9 wattia GaN HEMT:lle.
Suuri jännite- ja virtakestoisuus saavutettiin sijoittamalla korkearesistanssinen AlGaN-välikekerros elektronin syöttökerroksen ja elektronikanavakerroksen väliin. Täten jännite voi hajaantua sekä elektronin syöttökerrokseen että AlGaN-välikekerrokseen. Jännitekeskittymää lieventämällä kiteen elektronien kineettisen energian lisäys tukahdutetaan ja sähköisen syöttökerroksen vaurioituminen voidaan estää, mikä johtaa parempaan käyttöjännitteeseen, joka voi olla jopa 100 volttia.
GaN HEMT -transistoreita käytetään laajalti suurtaajuuksisina tehovahvistimina pitkän matkan radioaaltojen sovelluksissa, kuten tutkissa ja langattomassa viestinnässä. Odotetaan myös, että niitä käytetään säätutkiin tarkkailemaan tarkasti paikallisia rankkasateita sekä millimetrien aaltokaistalla viidennen sukupolven matkaviestinnässä (5G).
Veijo Hänninen
Nanobittejä 4.8.2018
Autoteollisuus on siirtymässä yhä monimutkaisempiin ohjelmistopohjaisiin järjestelmiin, joissa virheetön ohjelmisto on elintärkeää turvallisuuden ja suorituskyvyn varmistamiseksi. Ohjelmiston laatu ja luotettavuus eivät ole enää vain valinnaisia ominaisuuksia, vaan kriittisiä vaatimuksia erityisesti autonomisessa ajamisessa, kehittyneissä kuljettajaa avustavissa järjestelmissä (ADAS) ja yhdistetyissä ajoneuvojärjestelmissä.
Kestävä digitaalinen infrastruktuuri on kriittinen, jotta tietoliikenneverkot voidaan tehokkaasti valjastaa tekoälyinnovaatioiden ja pilvipohjaisten palveluiden tarpeisiin. Tekoälyyn liittyvien datarikkaiden sovellusten lisääntyvä kysyntä edellyttää tietoliikenneverkkoa, joka kykenee käsittelemään suuria tietomääriä alhaisella viiveellä, kirjoittaa Orange Businessin kumppaniratkaisuista vastaava Carl Hansson.
Euroopan unioni ottaa merkittävän askeleen avaruusteknologian kehittämisessä allekirjoittamalla sopimuksen uuden IRIS²-satelliittijärjestelmän toteuttamisesta. Tämä 290 satelliitin verkko on suunniteltu vahvistamaan Euroopan itsenäisyyttä ja turvallista yhteydenpitoa.
Jotta voidaan vastata uuden teknologian vaatimuksiin ja pitää järjestelmät toimimassa ”kellon tavoin”, on aika harkita ajoitusratkaisuja uudelleen. Tässä kaksiosaisessa "Precision Timing" -artikkelissa opit, miksi mikroelektromekaanisiin järjestelmiin eli MEMS-komponentteihin perustuvat piiajoituslaitteet päihittävät kvartsin elektroniikkasuunnittelun uudella aikakaudella. 
Matalatehoisten langattomien ratkaisujen asiantuntija Nordic Semiconductor ja eSIM-ratkaisuja kehittävä Kigen ovat julkistaneet yhteistyön, joka sujuvoittaa massiivisten IoT-verkkojen käyttöönottoa. Yhdessä he esittelevät CES 2025 -messuilla ratkaisun, joka yhdistää Nordic Semiconductorin nRF9151-moduulin ja Kigenin SGP.32 IoT eSIM-teknologian sekä laitteiden hallinta-alustan.
