108 megapikselin kamera, keinotodellisuuteen perustuva pelaaminen ja 8K-video vaativat, että älypuhelimen prosessorille saadaan dataa yli 35 gigatavua sekunnissa. Tämä ei onnistu nykyisillä muisteilla vaan vaatii uutta LPDDR5-polvea. Onneksi se on jo täällä Micronin uusimman muodossa.
Micron on jo ryhtynyt toimittamaan asiakkailleen uusia LPDDR5-muisteja, jotka kykenevät prosessoimaan dataa 6,4 gigabitin sekuntinopeudella. Muistien kapasiteetti on 6, 8 tai 12 gigatavua, joten ne riittävät toistaiseksi vaativimmillekin valmistajille.
Lukujen perusteella LPDDR5 on iso hyppäys eteenpäin. Dataa voidaan siirtää 50 prosenttia nopeammin samalla, kun tehonkulutus pienenee viidenneksellä. Edelliseen DRAM-polveen verrattuna LPDDR5-piirit myös kasvattavat akun toiminta-aikaa 5-10 prosenttia. Tämä on iso parannus, kun muistetaan että se aiheutuu vain yhdestä komponentista.
Micron kertoo myös tuovansa jo kevään aikana tarjolle markkinoiden ensimmäisen UFS-väyläisen monisirumoduulin, jossa samaan pakettiin on yhdistetty sekä LPDDR5-DRAM- että uusimman polven NAND-muisti. Ratkaisu vie kännykän piirikortilla peräti 40 prosenttia vähemmän tilaa kuin entinen kahden sirun ratkaisu.
Monisirumoduulin NAND-piiri on markkinoiden tiheimmäksi mainostettu 512 gigabitin piiri, joka on valmistettu 96 metallointikerroksella. 297-nastainen BGA-kotelo pitää sisällään kaksi LPDDR5-kanavaa, joita pitkin dataa siirtyy 6400 megabittiä sekunnissa.





















Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.