5G:n avulla vaadittavien radiotaajuusratkaisujen tiheys antennia kohti on eksponentiaalisesti kasvanut. Tähän haasteeseen paras ratkaisu löytyy pitkään kehitetyistä galliumnitridi-pohjaisista tehokomponenteista. NXP vastaa kysynnän kasvuun uudella GaN-tehtaalla Arizonassa.
NXP vihki eilen käyttöön uuden tehtaan Arizonan Chandlerissa. Tehtaassa valmistetaan GaN-tehovahvistimia kuuden tuuman kiekoilla.
Tehtaan prosessit on jo kvalifioitu ja tuotteet alkavat tulla markkinoille. NXP:n mukaan tehtaan tuotanto on täydessä vauhdissa vielä tämän vuoden loppuun mennessä.
Viimeisen 20 vuoden ajan puolijohdetalot ovat etsineet tehokomponentteihin uusia materiaaleja perinteisen piin rinnalle ja tilalle. Piikarbidi oli yhdessä vaiheessa lupaava, mutta valitettavan kallis ratkaisu.
GaN-materiaali tuo kertaluokkia paremman suorituskyvyn kytkentään ja lämmönjohtavuuteen, ja valmistettuna piialustalle (GaN-on-Silicon) se voi alentaa tehojärjestelmän kustannuksia.