
Samsung on esitellyt Piilaakson Hot Chips -tapahtumassa, kehittäneensä markkinoiden ensimmäisen 7200 megahertsin nopeudella toimivan DDR5-muistin, jonka kapasiteetti on peräti 512 gigatavua. Nykyisiin DDR4-muisteihin verrattuna uutuus tuo 40 prosenttia paremman suorituskyvyn ja kaksinkertaisen kapasiteetin.
Samsungin DDR5-7200-moduuli perustuu kahdeksaan pinottuun DDR5-siruun, jotka on yhdistetty TSV-läpivienneillä DDR4-moduuleissa rajoituksena oli neljä sirua, joten hyppäys eteenpäin kapasiteetissa on merkittävä. Tästä huolimatta DDR5-moduuli korkeus on vain 1,0 millimetriä, kun aiemman DDR4-pinon korkeus oli 1,2 milliä.
DDR5-7200-moduuli toimii 1,1 voltin jännitteellä. Samsungin mukaan moduulin tehonhallitapiiri ei ainoastaan alenna jännitettä, vaan myös pienentää kohinaa. Piireillä on DDR-määritysten mukainen virheenkorjaus, joka varmistaa luotettavamman ja turvallisemman tiedonkäsittelyn.
512 gigatavun moduuli on suunnattu datakeskus- ja palvelinmarkkinoille. Samsungin mukaan kuluttajien DDR5-muisteissa kapasiteetti tulee todennäköisesti yltämään 64 gigatavuun. Kuluttajalaitteisiin DDR5 tullee aikaisin ensi vuonna, kun Intel ja AMD saavat DDR5-tekniikkaa tukevat prosessorinsa markkinoille.
Samsung odottaa DDR5-7200 512 Gt: n muistimoduuliensa massatuotannon alkavan vuoden 2021 loppuun mennessä. Yhtiö uskoo, että DDR5:n nousu muistien valtavirraksi tapahtuu vasta vuonna 2023 tai 2024.





















Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.